Erinnerung

MT48H4M16LFB4-10 TR

MT48H4M16LFB4-10 TR

Teilbestand: 9057

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48V4M32LFF5-10 IT:G

MT48V4M32LFF5-10 IT:G

Teilbestand: 3129

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR

MT48LC8M32LFF5-8 IT TR

Teilbestand: 2566

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT28F800B5WP-8 BET

MT28F800B5WP-8 BET

Teilbestand: 4408

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT46V32M16FN-5B:C TR

MT46V32M16FN-5B:C TR

Teilbestand: 6138

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC4M16A2P-6:G

MT48LC4M16A2P-6:G

Teilbestand: 728

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
MT48H16M32L2F5-8

MT48H16M32L2F5-8

Teilbestand: 8967

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 512Mb (16M x 32), Taktfrequenz: 125MHz,

Wunschzettel
MT46V64M8BN-6:D TR

MT46V64M8BN-6:D TR

Teilbestand: 7703

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V16M16P-75:F

MT46V16M16P-75:F

Teilbestand: 5745

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V32M16BN-5B:C TR

MT46V32M16BN-5B:C TR

Teilbestand: 6084

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V32M16BN-75:C TR

MT46V32M16BN-75:C TR

Teilbestand: 6129

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC64M4A2P-75:D

MT48LC64M4A2P-75:D

Teilbestand: 1315

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (64M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48H16M32L2F5-8 IT

MT48H16M32L2F5-8 IT

Teilbestand: 8947

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 512Mb (16M x 32), Taktfrequenz: 125MHz,

Wunschzettel
MT46V32M16TG-6T:C

MT46V32M16TG-6T:C

Teilbestand: 6764

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48V8M16LFB4-8 IT:G

MT48V8M16LFB4-8 IT:G

Teilbestand: 3330

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT28F400B3SG-8 B

MT28F400B3SG-8 B

Teilbestand: 2727

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT48H8M32LFF5-10 TR

MT48H8M32LFF5-10 TR

Teilbestand: 9324

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48V4M32LFB5-10:G TR

MT48V4M32LFB5-10:G TR

Teilbestand: 4317

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V32M8TG-75 L:G

MT46V32M8TG-75 L:G

Teilbestand: 7270

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT28F800B5WP-8 BET TR

MT28F800B5WP-8 BET TR

Teilbestand: 4378

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR

MT48LC8M8A2P-7E L:G TR

Teilbestand: 2815

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT48H8M32LFF5-8 TR

MT48H8M32LFF5-8 TR

Teilbestand: 9389

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC8M32LFB5-10 IT

MT48LC8M32LFB5-10 IT

Teilbestand: 2420

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V32M8TG-75:G

MT46V32M8TG-75:G

Teilbestand: 7336

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
NAND256W3A2BN6E

NAND256W3A2BN6E

Teilbestand: 577

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

Wunschzettel
MT46V32M16FN-75:C

MT46V32M16FN-75:C

Teilbestand: 6621

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48V8M16LFB4-8 XT:G

MT48V8M16LFB4-8 XT:G

Teilbestand: 3401

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V32M16BN-75:C

MT46V32M16BN-75:C

Teilbestand: 6087

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC2M32B2TG-55:G

MT48LC2M32B2TG-55:G

Teilbestand: 10052

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 183MHz,

Wunschzettel
MT48LC8M32B2F5-7 TR

MT48LC8M32B2F5-7 TR

Teilbestand: 2262

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT48LC16M16A2P-7E L:D

MT48LC16M16A2P-7E L:D

Teilbestand: 4036

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT46V16M16TG-75 L:F TR

MT46V16M16TG-75 L:F TR

Teilbestand: 5902

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V64M8P-6T:D TR

MT46V64M8P-6T:D TR

Teilbestand: 7998

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT28F400B5WP-8 TET TR

MT28F400B5WP-8 TET TR

Teilbestand: 3266

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT29F8G08FACWP:C TR

MT29F8G08FACWP:C TR

Teilbestand: 493

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 8Gb (1G x 8),

Wunschzettel
MT48LC16M8A2TG-7E:G TR

MT48LC16M8A2TG-7E:G TR

Teilbestand: 9895

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel