Dioden - Gleichrichter - Arrays

Zuhause
Dioden - Gleichrichter - Arrays

Microsemi Corporation

APT15D100BHBG

Teilbestand: 3846

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSCD120-12

Teilbestand: 3126

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.43V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSKD70-12

Teilbestand: 3640

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.48V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSCD200-12

Teilbestand: 1707

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSCD200-16

Teilbestand: 1634

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSCD60-12

Teilbestand: 3374

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSCD60-16

Teilbestand: 3713

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSKD165-16

Teilbestand: 1961

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

FST30100

Teilbestand: 15979

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

Teilbestand: 83378

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR3045FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3045FCTE3/TU

Teilbestand: 83376

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR3040FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3040FCTE3/TU

Teilbestand: 83345

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSCD36-08

Teilbestand: 161

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 36A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBR3060FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

Teilbestand: 83401

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR3090FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3090FCTE3/TU

Teilbestand: 83419

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

Teilbestand: 83420

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR30100CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR30100CTE3/TU

Teilbestand: 83396

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S16-4150E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4150E3/TR13

Teilbestand: 33996

Diodenkonfiguration: 8 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR40100PTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR40100PTE3/TU

Teilbestand: 77627

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S8-4148E3/TR7

Teilbestand: 35633

Diodenkonfiguration: 4 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S16-4148E3/TR13

Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR13

Teilbestand: 33968

Diodenkonfiguration: 8 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S8-4148/TR13

Teilbestand: 29651

Diodenkonfiguration: 4 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR7

Teilbestand: 35658

Diodenkonfiguration: 4 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S8-4150E3/TR13

Teilbestand: 44423

Diodenkonfiguration: 4 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MBR3040CTE3/TU

Teilbestand: 83326

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MBR3060CTE3/TU

Teilbestand: 83324

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S16-4148E3/TR7

Teilbestand: 27341

Diodenkonfiguration: 8 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S16-4150/TR13

Teilbestand: 27323

Diodenkonfiguration: 8 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR3080FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3080FCTE3/TU

Teilbestand: 83408

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S16-4148/TR7

Teilbestand: 20355

Diodenkonfiguration: 8 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S16-4148/TR13

Teilbestand: 27309

Diodenkonfiguration: 8 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Microsemi Corporation

S8-4148/TR7

Teilbestand: 23783

Diodenkonfiguration: 4 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR3050FCTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR3050FCTE3/TU

Teilbestand: 83385

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

S8-4150/TR7

Teilbestand: 23768

Diodenkonfiguration: 4 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

MBR20200CTE3/TU

Microsemi Corporation

MBR20200CTE3/TU

Teilbestand: 83329

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Microsemi Corporation

MBR3080CTE3/TU

Teilbestand: 83384

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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