Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 13

APT2X31D40J

Teilbestand: 4070

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D100LCTG

Teilbestand: 7231

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D20J

Teilbestand: 4061

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DQ100J

Teilbestand: 4327

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D30J

Teilbestand: 4123

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D40BCTG

Teilbestand: 21384

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D30J

Teilbestand: 3608

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30S20BCTG

Teilbestand: 11061

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 45A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D100J

Teilbestand: 3002

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60DQ100LCTG

Teilbestand: 10467

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ100J

Teilbestand: 2781

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D40LCTG

Teilbestand: 8028

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D40J

Teilbestand: 3276

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ120J

Teilbestand: 2629

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DQ120J

Teilbestand: 4008

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DQ120J

Teilbestand: 3039

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DL40J

Teilbestand: 2799

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.125V @ 100A, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Microsemi Corporation

APT60S20B2CTG

Teilbestand: 7322

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D60J

Teilbestand: 309

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA120G

Teilbestand: 1110

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 470A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK60G

Teilbestand: 1164

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA60G

Teilbestand: 1223

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA170G

Teilbestand: 803

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 480A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK100G

Teilbestand: 1161

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK20G

Teilbestand: 1158

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK120G

Teilbestand: 930

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 470A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK170G

Teilbestand: 896

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 480A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA100G

Teilbestand: 1169

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK60G

Teilbestand: 812

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK120G

Teilbestand: 985

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 470A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AA20G

Teilbestand: 1188

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400AK100G

Teilbestand: 1141

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DQ120J

Teilbestand: 3273

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X51DC120J

Teilbestand: 650

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D120BCTG

Teilbestand: 8242

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D60J

Teilbestand: 2784

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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