Dioden - Gleichrichter - Arrays

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Dioden - Gleichrichter - Arrays

Microsemi Corporation

APT2X31DQ60J

Teilbestand: 3554

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D100BCTG

Teilbestand: 9938

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT100S20LCTG

Teilbestand: 5486

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61S20J

Teilbestand: 3006

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60D60LCTG

Teilbestand: 6600

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D120J

Teilbestand: 2852

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ60J

Teilbestand: 2889

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101DQ120J

Teilbestand: 2486

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D60J

Teilbestand: 3296

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BCTG

Teilbestand: 16694

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D100BHBG

Teilbestand: 9481

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 18A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT40DQ60BCTG

Teilbestand: 14431

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D20J

Teilbestand: 2724

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15DQ100BCTG

Teilbestand: 17077

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DC120J

Teilbestand: 553

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D20BCAG

Teilbestand: 9782

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D60J

Teilbestand: 2721

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BCTG

Teilbestand: 10815

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D40J

Teilbestand: 2756

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BHBG

Teilbestand: 10044

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31S20J

Teilbestand: 3575

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 45A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BCAG

Teilbestand: 9826

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 27A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D100J

Teilbestand: 2817

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DC60J

Teilbestand: 1099

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DC60J

Teilbestand: 1122

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D60BHBG

Teilbestand: 9889

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 27A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X51DC60J

Teilbestand: 1272

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X41DC60J

Teilbestand: 1054

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31DC60J

Teilbestand: 1723

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DC60J

Teilbestand: 1813

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101S20J

Teilbestand: 2725

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

Teilbestand: 20940

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

Teilbestand: 1426

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

Teilbestand: 11515

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

Teilbestand: 1510

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D30J

Teilbestand: 4471

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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