Transistoren - IGBTs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

APT85GR120L

Teilbestand: 4352

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 170A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 340A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Leistung max: 962W,

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Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

Teilbestand: 5459

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 117A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 193A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Leistung max: 500W,

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Microsemi Corporation

APT25GR120S

Teilbestand: 8706

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Leistung max: 521W,

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Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

Teilbestand: 3425

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Leistung max: 543W,

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Microsemi Corporation

APT30GP60BG

Teilbestand: 6877

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Leistung max: 463W,

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Microsemi Corporation

APT25GN120BG

Teilbestand: 9003

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 67A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Leistung max: 272W,

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Microsemi Corporation

APT50GR120B2

Teilbestand: 6076

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 117A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Leistung max: 694W,

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Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

Teilbestand: 3743

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 106A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Leistung max: 694W,

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Microsemi Corporation

APT80GA60B

Teilbestand: 6029

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 143A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Leistung max: 625W,

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Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

Teilbestand: 8494

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 109A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Leistung max: 290W,

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Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

Teilbestand: 5976

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 88A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Leistung max: 500W,

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Microsemi Corporation

APT70GR120B2

Teilbestand: 5872

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 160A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 280A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Leistung max: 961W,

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Microsemi Corporation

APT70GR120L

Teilbestand: 5006

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 160A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 280A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Leistung max: 961W,

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Microsemi Corporation

APT70GR65B

Teilbestand: 9503

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 134A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 260A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Leistung max: 595W,

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Microsemi Corporation

APT40GR120S

Teilbestand: 6836

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 88A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Leistung max: 500W,

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Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

Teilbestand: 6219

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 134A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Leistung max: 543W,

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Microsemi Corporation

APT35GP120BG

Teilbestand: 4037

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 140A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Leistung max: 543W,

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Microsemi Corporation

APT50GR120L

Teilbestand: 7440

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 117A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Leistung max: 694W,

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Microsemi Corporation

APT25GP120BG

Teilbestand: 6960

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 69A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Leistung max: 417W,

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Microsemi Corporation

APT13GP120BG

Teilbestand: 10841

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 41A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Leistung max: 250W,

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Microsemi Corporation

APT68GA60B

Teilbestand: 7230

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 121A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 202A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Leistung max: 520W,

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Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

Teilbestand: 5728

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 94A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Leistung max: 379W,

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Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

Teilbestand: 17440

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Leistung max: 184W,

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Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

Teilbestand: 7256

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 195A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Leistung max: 415W,

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Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

Teilbestand: 6392

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 229A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Leistung max: 625W,

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Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

Teilbestand: 10467

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 64A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 110A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Leistung max: 250W,

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Microsemi Corporation

APT75GN60BG

Teilbestand: 8678

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 155A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 225A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Leistung max: 536W,

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Microsemi Corporation

APT150GN60B2G

Teilbestand: 3491

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 450A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, Leistung max: 536W,

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Microsemi Corporation

APT50GN60BG

Teilbestand: 13902

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 107A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Leistung max: 366W,

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Microsemi Corporation

APT50GS60BRG

Teilbestand: 9786

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 93A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 195A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Leistung max: 415W,

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Microsemi Corporation

APT30GN60BG

Teilbestand: 19623

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 63A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 203W,

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Microsemi Corporation

APT50GF120B2RG

Teilbestand: 3865

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, Leistung max: 781W,

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Microsemi Corporation

APT15GT120BRG

Teilbestand: 12117

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 36A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Leistung max: 250W,

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Microsemi Corporation

APT30GP60B2DLG

Teilbestand: 7454

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Leistung max: 463W,

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Microsemi Corporation

APT30GN60BDQ2G

Teilbestand: 14922

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 63A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 203W,

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Microsemi Corporation

APT20GN60BDQ1G

Teilbestand: 20011

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Leistung max: 136W,

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