Transistoren - IGBTs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

APT150GN60LDQ4G

Teilbestand: 3228

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 450A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, Leistung max: 536W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT50GN60BDQ2G

Teilbestand: 9330

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 107A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Leistung max: 366W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT15GT60BRDQ1G

Teilbestand: 20246

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Leistung max: 184W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT68GA60B2D40

Teilbestand: 6971

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 121A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 202A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Leistung max: 520W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT75GN60LDQ3G

Teilbestand: 5921

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 155A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 225A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Leistung max: 536W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT68GA60LD40

Teilbestand: 6948

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 121A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 202A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Leistung max: 520W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT45GR65B2DU30

Teilbestand: 10147

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 118A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 224A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Leistung max: 543W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT70GR65B2DU40

Teilbestand: 8839

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 134A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 280A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Leistung max: 595W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT40GP90BG

Teilbestand: 4206

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, Leistung max: 543W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT44GA60BD30

Teilbestand: 10083

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 78A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 130A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A, Leistung max: 337W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT80GA90LD40

Teilbestand: 5400

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 145A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 239A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Leistung max: 625W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT64GA90B

Teilbestand: 8162

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 117A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 193A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Leistung max: 500W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT64GA90LD30

Teilbestand: 6579

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 117A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 193A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Leistung max: 500W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT54GA60B

Teilbestand: 11075

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 161A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Leistung max: 416W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDQ2G

Teilbestand: 4613

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 94A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Leistung max: 625W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT25GN120B2DQ2G

Teilbestand: 7473

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 67A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Leistung max: 272W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT15GT120BRDQ1G

Teilbestand: 11168

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 36A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Leistung max: 250W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT45GP120BG

Teilbestand: 3545

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 170A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, Leistung max: 625W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT15GN120BDQ1G

Teilbestand: 10827

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Leistung max: 195W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT50GT120LRDQ2G

Teilbestand: 4370

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 106A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Leistung max: 694W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT35GA90B

Teilbestand: 14857

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 63A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Leistung max: 290W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT200GN60B2G

Teilbestand: 3095

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 283A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 600A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, Leistung max: 682W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT102GA60L

Teilbestand: 4595

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 183A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 307A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A, Leistung max: 780W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT80GA90B

Teilbestand: 6126

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 145A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 239A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Leistung max: 625W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT13GP120BDQ1G

Teilbestand: 9652

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 41A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Leistung max: 250W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT54GA60BD30

Teilbestand: 9202

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 161A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Leistung max: 416W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT100GN120B2G

Teilbestand: 2601

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 245A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, Leistung max: 960W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT35GN120BG

Teilbestand: 7198

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 94A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Leistung max: 379W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT30GP60BDQ1G

Teilbestand: 6297

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Leistung max: 463W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT43GA90B

Teilbestand: 9181

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 78A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 129A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A, Leistung max: 337W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT50GT60BRG

Teilbestand: 10003

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Leistung max: 446W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT33GF120B2RDQ2G

Teilbestand: 3825

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 64A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Leistung max: 357W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT20GT60BRDQ1G

Teilbestand: 9530

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 43A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Leistung max: 174W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT43GA90BD30

Teilbestand: 7291

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 78A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 129A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Leistung max: 337W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT95GR65B2

Teilbestand: 6557

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 208A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 400A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, Leistung max: 892W,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APT100GN60LDQ4G

Teilbestand: 4644

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 229A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Leistung max: 625W,

Wunschzettel