Transistoren - IGBTs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

APT85GR120B2

Teilbestand: 4316

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 170A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 340A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Leistung max: 962W,

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Microsemi Corporation

APT45GR65B

Teilbestand: 10884

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 92A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 168A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Leistung max: 357W,

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Microsemi Corporation

APT25GR120SD15

Teilbestand: 6784

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Leistung max: 521W,

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Microsemi Corporation

APT30GS60BRDQ2G

Teilbestand: 8545

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 54A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 113A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, Leistung max: 250W,

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Microsemi Corporation

APT35GA90BD15

Teilbestand: 8990

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 63A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Leistung max: 290W,

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Microsemi Corporation

APT25GP120BDQ1G

Teilbestand: 5387

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 69A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Leistung max: 417W,

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Microsemi Corporation

APT40GR120B

Teilbestand: 7864

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 88A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Leistung max: 500W,

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Microsemi Corporation

APT50GF120LRG

Teilbestand: 3226

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 135A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, Leistung max: 781W,

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Microsemi Corporation

APT36GA60B

Teilbestand: 10848

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 109A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Leistung max: 290W,

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Microsemi Corporation

APT25GN120SG

Teilbestand: 7823

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 67A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Leistung max: 272W,

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Microsemi Corporation

APT45GP120B2DQ2G

Teilbestand: 3343

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 113A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 170A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, Leistung max: 625W,

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Microsemi Corporation

APT65GP60B2G

Teilbestand: 3477

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 250A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Leistung max: 833W,

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Microsemi Corporation

APT33GF120BRG

Teilbestand: 6611

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 52A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 104A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Leistung max: 297W,

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Microsemi Corporation

APT80GA60LD40

Teilbestand: 5111

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 143A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Leistung max: 625W,

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Microsemi Corporation

APT50GN120L2DQ2G

Teilbestand: 3928

IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 134A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Leistung max: 543W,

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Microsemi Corporation

APT50GT60BRDQ2G

Teilbestand: 8198

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Leistung max: 446W,

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Microsemi Corporation

APT25GR120BD15

Teilbestand: 8367

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Leistung max: 521W,

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Microsemi Corporation

APT27GA90BD15

Teilbestand: 9145

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 48A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 79A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A, Leistung max: 223W,

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Microsemi Corporation

APT25GT120BRDQ2G

Teilbestand: 7393

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 54A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Leistung max: 347W,

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Microsemi Corporation

APT25GT120BRG

Teilbestand: 9392

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 54A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Leistung max: 347W,

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Microsemi Corporation

APT50GT120B2RG

Teilbestand: 4226

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 94A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Leistung max: 625W,

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Microsemi Corporation

APT75GN120LG

Teilbestand: 4252

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 225A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Leistung max: 833W,

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Microsemi Corporation

APT25GR120B

Teilbestand: 10487

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Leistung max: 521W,

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Microsemi Corporation

APT30GT60BRDQ2G

Teilbestand: 10975

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 64A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 110A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Leistung max: 250W,

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Microsemi Corporation

APT40GT60BRG

Teilbestand: 7056

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Leistung max: 345W,

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Microsemi Corporation

APT60GT60BRG

Teilbestand: 6334

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 360A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Leistung max: 500W,

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Microsemi Corporation

APT65GP60L2DQ2G

Teilbestand: 3385

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 198A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 250A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Leistung max: 833W,

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Microsemi Corporation

APT75GP120B2G

Teilbestand: 2676

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, Leistung max: 1042W,

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Microsemi Corporation

APT75GN120B2G

Teilbestand: 5110

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 225A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Leistung max: 833W,

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Microsemi Corporation

APT50GP60B2DQ2G

Teilbestand: 4373

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 190A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Leistung max: 625W,

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Microsemi Corporation

APT40GP60B2DQ2G

Teilbestand: 4770

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Leistung max: 543W,

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Microsemi Corporation

APT50GP60BG

Teilbestand: 5801

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 190A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Leistung max: 625W,

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Microsemi Corporation

APT40GP60SG

Teilbestand: 6297

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Leistung max: 543W,

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Microsemi Corporation

APT25GR120SSCD10

Teilbestand: 4355

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Leistung max: 521W,

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Microsemi Corporation

APT44GA60BD30C

Teilbestand: 6845

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 78A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 130A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A, Leistung max: 337W,

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Microsemi Corporation

APT33GF120LRDQ2G

Teilbestand: 6891

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 64A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Leistung max: 357W,

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