Dioden - Brückengleichrichter

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Dioden - Brückengleichrichter

Microsemi Corporation

APT75DL120HJ

Teilbestand: 3436

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 75A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDF100H20G

Teilbestand: 1745

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 145A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APTDF60H601G

Teilbestand: 2946

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 92A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 25µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT30DF60HJ

Teilbestand: 4765

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT30DF20HJ

Teilbestand: 6108

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 45A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APTDF200H100G

Teilbestand: 1141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 255A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1000V,

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Microsemi Corporation

APT75DF170HJ

Teilbestand: 2789

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.7kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 75A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 1700V,

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Microsemi Corporation

APTDF100H100G

Teilbestand: 1774

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1000V,

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Microsemi Corporation

APT100DL60HJ

Teilbestand: 4271

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDF60H1201G

Teilbestand: 2732

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 82A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT60DF60HJ

Teilbestand: 3669

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 25µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDF30H601G

Teilbestand: 3265

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 42A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDF200H170G

Teilbestand: 851

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.7kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 350µA @ 1700V,

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Microsemi Corporation

APTDF30H1201G

Teilbestand: 3161

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 43A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDR40X1601G

Teilbestand: 2893

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

APTDF200H60G

Teilbestand: 968

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 270A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 350µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT40DR160HJ

Teilbestand: 3690

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

APTDC40H601G

Teilbestand: 840

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 800µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT40DC60HJ

Teilbestand: 933

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 800µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDC20H1201G

Teilbestand: 862

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 400µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDC20H601G

Teilbestand: 8742

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 400µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDC10H601G

Teilbestand: 8792

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT40DC120HJ

Teilbestand: 386

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 800µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT20DC120HJ

Teilbestand: 918

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 400µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT60DF20HJ

Teilbestand: 4759

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APT06DC60HJ

Teilbestand: 8736

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT60DS20HJ

Teilbestand: 8775

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APT75DL60HJ

Teilbestand: 8758

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 75A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT60DS04HJ

Teilbestand: 8748

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 30mA @ 45V,

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Microsemi Corporation

APT60DS10HJ

Teilbestand: 8788

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2mA @ 100V,

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Microsemi Corporation

APT60DF100HJ

Teilbestand: 8782

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1000V,

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Microsemi Corporation

APT60DF120HJ

Teilbestand: 8700

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT40DS10HJ

Teilbestand: 8706

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 100V,

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Microsemi Corporation

APT50DL120HJ

Teilbestand: 8760

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 50A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT40DS04HJ

Teilbestand: 8718

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20mA @ 45V,

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Microsemi Corporation

APT35DL120HJ

Teilbestand: 8751

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 35A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 1200V,

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