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Dioden - Brückengleichrichter

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APT30DS20HJ
Microsemi Corporation

APT30DS20HJ

Teilbestand: 8719

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 45A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 200V,

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APT30DL60HJ
Microsemi Corporation

APT30DL60HJ

Teilbestand: 8740

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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APT10DC120HJ
Microsemi Corporation

APT10DC120HJ

Teilbestand: 1647

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1200V,

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APT30DF120HJ
Microsemi Corporation

APT30DF120HJ

Teilbestand: 8670

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 45A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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APT50DL60HJ
Microsemi Corporation

APT50DL60HJ

Teilbestand: 2895

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 50A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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APTDF100H60G
Microsemi Corporation

APTDF100H60G

Teilbestand: 8625

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 135A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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APTDC40H1201G
Microsemi Corporation

APTDC40H1201G

Teilbestand: 470

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 800µA @ 1200V,

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APTDR70X1601G
Microsemi Corporation

APTDR70X1601G

Teilbestand: 8688

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 70A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1600V,

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APTDF200H20G
Microsemi Corporation

APTDF200H20G

Teilbestand: 8616

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 285A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 150µA @ 1200V,

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APTDF100H120G
Microsemi Corporation

APTDF100H120G

Teilbestand: 8610

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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APTDF100H1201G
Microsemi Corporation

APTDF100H1201G

Teilbestand: 2888

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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MSD50-12
Microsemi Corporation

MSD50-12

Teilbestand: 3325

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1200V,

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MSD100-16
Microsemi Corporation

MSD100-16

Teilbestand: 1744

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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MSD130-16
Microsemi Corporation

MSD130-16

Teilbestand: 1607

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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MSD50-08
Microsemi Corporation

MSD50-08

Teilbestand: 3265

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 800V,

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MSD160-18
Microsemi Corporation

MSD160-18

Teilbestand: 1438

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 160A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1800V,

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MSD50-16
Microsemi Corporation

MSD50-16

Teilbestand: 8741

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1600V,

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MSDM150-08
Microsemi Corporation

MSDM150-08

Teilbestand: 8749

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 800V,

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MSD52-16
Microsemi Corporation

MSD52-16

Teilbestand: 8692

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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MSDM100-12
Microsemi Corporation

MSDM100-12

Teilbestand: 8761

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1200V,

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MSDM150-18
Microsemi Corporation

MSDM150-18

Teilbestand: 8683

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1800V,

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MSD100-12
Microsemi Corporation

MSD100-12

Teilbestand: 8760

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1200V,

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MSD75-18
Microsemi Corporation

MSD75-18

Teilbestand: 8775

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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VJ447M
Microsemi Corporation

VJ447M

Teilbestand: 8748

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 900V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 900V,

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MSDM150-16
Microsemi Corporation

MSDM150-16

Teilbestand: 8702

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

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MSD130-12
Microsemi Corporation

MSD130-12

Teilbestand: 8726

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1200V,

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MSD200-08
Microsemi Corporation

MSD200-08

Teilbestand: 8678

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 800V,

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VJ848M
Microsemi Corporation

VJ848M

Teilbestand: 8783

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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MSDM75-18
Microsemi Corporation

MSDM75-18

Teilbestand: 8789

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1800V,

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MSD52-18
Microsemi Corporation

MSD52-18

Teilbestand: 8700

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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MSDM200-18
Microsemi Corporation

MSDM200-18

Teilbestand: 8767

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1800V,

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MSD52-12
Microsemi Corporation

MSD52-12

Teilbestand: 2870

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1200V,

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MSD30-08
Microsemi Corporation

MSD30-08

Teilbestand: 8676

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 800V,

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MSD160-12
Microsemi Corporation

MSD160-12

Teilbestand: 1526

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 160A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1200V,

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MSD160-16
Microsemi Corporation

MSD160-16

Teilbestand: 1450

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 160A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

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VJ647M
Microsemi Corporation

VJ647M

Teilbestand: 8784

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1100V,

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