Dioden - Brückengleichrichter | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

MSD50-18

Teilbestand: 8704

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1800V,

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Microsemi Corporation

MSDM200-16

Teilbestand: 1434

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

MSDM50-08

Teilbestand: 8780

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

VJ448M

Teilbestand: 8752

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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Microsemi Corporation

VJ247M

Teilbestand: 8710

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 250V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 700V,

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Microsemi Corporation

MSD75-08

Teilbestand: 8647

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSDM75-08

Teilbestand: 8732

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSDM50-12

Teilbestand: 8772

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

MSDM50-18

Teilbestand: 8721

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1800V,

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Microsemi Corporation

MSD75-16

Teilbestand: 8686

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

MSD160-08

Teilbestand: 8752

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 160A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSD52-08

Teilbestand: 8703

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSDM75-12

Teilbestand: 8795

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

MSD100-08

Teilbestand: 8719

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSD30-18

Teilbestand: 8715

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1800V,

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Microsemi Corporation

MSDM150-12

Teilbestand: 8705

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

MT800

Teilbestand: 8749

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSD100-18

Teilbestand: 8709

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1800V,

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Microsemi Corporation

MSDM50-16

Teilbestand: 2912

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

VJ248M

Teilbestand: 8707

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

MSDM200-12

Teilbestand: 8733

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

MSD75-12

Teilbestand: 8736

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

MSD130-08

Teilbestand: 8749

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSD30-12

Teilbestand: 8710

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

MSD130-18

Teilbestand: 8717

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1800V,

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Microsemi Corporation

MSD30-16

Teilbestand: 8709

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

MSDM100-08

Teilbestand: 8746

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

MSDM100-16

Teilbestand: 8738

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

MSD200-12

Teilbestand: 1410

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

MSDM75-16

Teilbestand: 8712

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

MSD200-16

Teilbestand: 1506

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

MSDM200-08

Teilbestand: 8747

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 800V,

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Microsemi Corporation

VJ448XM

Teilbestand: 8633

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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Microsemi Corporation

MSDM100-18

Teilbestand: 8697

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.8kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1800V,

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