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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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2SK3707-1E
ON Semiconductor

2SK3707-1E

Teilbestand: 1889

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

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2N7002-D87Z
ON Semiconductor

2N7002-D87Z

Teilbestand: 1492

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4198FS
ON Semiconductor

2SK4198FS

Teilbestand: 5624

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.34 Ohm @ 2.5A, 10V,

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2SK4197FS
ON Semiconductor

2SK4197FS

Teilbestand: 1470

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.25 Ohm @ 1.8A, 10V,

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2SK536-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-TB-E

Teilbestand: 129781

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 10V,

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2N7002MTF
ON Semiconductor

2N7002MTF

Teilbestand: 1245

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4209
ON Semiconductor

2SK4209

Teilbestand: 1223

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.08 Ohm @ 6A, 10V,

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2SK4197LS
ON Semiconductor

2SK4197LS

Teilbestand: 1194

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.25 Ohm @ 1.8A, 10V,

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2SK4198LS
ON Semiconductor

2SK4198LS

Teilbestand: 6163

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.34 Ohm @ 2.5A, 10V,

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2SK4177-E
ON Semiconductor

2SK4177-E

Teilbestand: 1166

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4196LS
ON Semiconductor

2SK4196LS

Teilbestand: 1179

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.56 Ohm @ 2.8A, 10V,

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2SK4099LS
ON Semiconductor

2SK4099LS

Teilbestand: 1227

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

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2SK4116LS
ON Semiconductor

2SK4116LS

Teilbestand: 1193

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 540 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK3826
ON Semiconductor

2SK3826

Teilbestand: 1249

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK3827
ON Semiconductor

2SK3827

Teilbestand: 1184

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3824
ON Semiconductor

2SK3824

Teilbestand: 1227

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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2SK3823
ON Semiconductor

2SK3823

Teilbestand: 1192

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27.5 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3821-DL-E
ON Semiconductor

2SK3821-DL-E

Teilbestand: 1219

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3817-DL-E
ON Semiconductor

2SK3817-DL-E

Teilbestand: 1236

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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2SK3820-DL-E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-E

Teilbestand: 1246

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SJ665-DL-E
ON Semiconductor

2SJ665-DL-E

Teilbestand: 1187

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 77 mOhm @ 14A, 10V,

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2SK3816-DL-E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-E

Teilbestand: 1188

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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2SJ661-DL-E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-E

Teilbestand: 1200

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2SK4222
ON Semiconductor

2SK4222

Teilbestand: 1148

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 340 mOhm @ 11.5A, 10V,

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2SK4221
ON Semiconductor

2SK4221

Teilbestand: 6203

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK4177-DL-E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-E

Teilbestand: 1184

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4117LS
ON Semiconductor

2SK4117LS

Teilbestand: 1187

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 7.5A, 10V,

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2SK4126
ON Semiconductor

2SK4126

Teilbestand: 1129

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK4089LS
ON Semiconductor

2SK4089LS

Teilbestand: 1168

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK4087LS
ON Semiconductor

2SK4087LS

Teilbestand: 1103

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4066-E
ON Semiconductor

2SK4066-E

Teilbestand: 1172

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4066-DL-E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-E

Teilbestand: 1110

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4043LS
ON Semiconductor

2SK4043LS

Teilbestand: 1127

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 4V,

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2SK4065-DL-E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-E

Teilbestand: 1115

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK3748
ON Semiconductor

2SK3748

Teilbestand: 1129

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

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2SK3747-MG8
ON Semiconductor

2SK3747-MG8

Teilbestand: 1091

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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