Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

5HN01C-TB-EX

Teilbestand: 2210

5HP01M-TL-H

Teilbestand: 110639

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

Teilbestand: 114622

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

Teilbestand: 1973

5HP01SS-TL-E

Teilbestand: 142336

5HP01SS-TL-H

Teilbestand: 108914

5HP01C-TB-H

Teilbestand: 157648

5HP01M-TL-E

Teilbestand: 1963

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

Teilbestand: 1979

5HP01C-TB-E

Teilbestand: 6246

5HN01SS-TL-H

Teilbestand: 146833

5HN01SS-TL-E

Teilbestand: 154338

5HN01M-TL-E

Teilbestand: 1932

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

Teilbestand: 102036

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01C-TB-H

Teilbestand: 147399

5HN01C-TB-E

Teilbestand: 176441

5LN01SP-AC

Teilbestand: 6260

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

Teilbestand: 128226

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

Teilbestand: 1826

5LP01SP

Teilbestand: 1894

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

Teilbestand: 6268

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

Teilbestand: 1839

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

Teilbestand: 1842

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

Teilbestand: 6223

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

Teilbestand: 1441

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

Teilbestand: 1507

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

Teilbestand: 174960

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

Teilbestand: 128915

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

Teilbestand: 1448

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

Teilbestand: 6222

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

Teilbestand: 1469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

Teilbestand: 109264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

Teilbestand: 185339

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

Teilbestand: 646

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

Teilbestand: 9476

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

Teilbestand: 133677

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 370mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,