Teilbestand: 103464
FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.1 mOhm @ 21.5A, 10V,