Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NVMFS5C404NWFAFT1G

Teilbestand: 42328

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.7 mOhm @ 50A, 10V,

FQU2N60CTU

Teilbestand: 90489

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

NTMFS6H800NT1G

Teilbestand: 343

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 50A, 10V,

NVMFS5C673NLAFT1G

Teilbestand: 157266

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.2 mOhm @ 25A, 10V,

NVMFS5C410NAFT1G

Teilbestand: 64729

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.92 mOhm @ 50A, 10V,

NVTFS5C673NLTAG

Teilbestand: 164382

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.8 mOhm @ 25A, 10V,

FDMS4D0N12C

Teilbestand: 266

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 67A, 10V,

FCP600N65S3R0

Teilbestand: 320

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

NTMFS4C01NT3G

Teilbestand: 24854

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

NVMFS5C460NLAFT1G

Teilbestand: 161394

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 35A, 10V,

FCP190N65S3R0

Teilbestand: 342

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 8.5A, 10V,

FDBL86062-F085

Teilbestand: 387

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

NTMFD4952NFT3G

Teilbestand: 47576

NTTFS4C08NTWG

Teilbestand: 183640

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

FCP110N65F

Teilbestand: 19278

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 17.5A, 10V,

FDMS86102LZ

Teilbestand: 89740

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

NVMFS5C468NLAFT1G

Teilbestand: 164429

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), 37A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.3 mOhm @ 20A, 10V,

NVMFS5C410NLAFT1G

Teilbestand: 52139

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.82 mOhm @ 50A, 10V,

NTMFS4927NCT3G

Teilbestand: 191841

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.9A (Ta), 38A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.3 mOhm @ 30A, 10V,

SI3443DV

Teilbestand: 125483

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 4.5V,

NVTFS4C08NTWG

Teilbestand: 140546

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

NVMFS5C456NLWFAFT3G

Teilbestand: 314

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 87A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 20A, 10V,

FQA40N25

Teilbestand: 22893

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V,

NVMFS5C410NWFAFT1G

Teilbestand: 62509

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.92 mOhm @ 50A, 10V,

NTMFS4897NFT1G

Teilbestand: 83567

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 22A, 10V,

FCH041N65EF-F155

Teilbestand: 282

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 76A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 38A, 10V,

NVMFS5C442NWFAFT1G

Teilbestand: 127718

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

FCPF360N65S3R0L

Teilbestand: 368

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

FDB86102LZ

Teilbestand: 125388

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 8.3A, 10V,

FCPF165N65S3R0L

Teilbestand: 363

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 165 mOhm @ 9.5A, 10V,

FDD86250

Teilbestand: 98645

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 10V,

FDMC007N08LC

Teilbestand: 392

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 66A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 21A, 10V,

FDPF320N06L

Teilbestand: 85182

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 21A, 10V,

NVMFS5C682NLWFAFT1G

Teilbestand: 160909

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

NVMFS6H801NWFT1G

Teilbestand: 258

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

FCB290N80

Teilbestand: 33300

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,