Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NTMFS5844NLT1G

Teilbestand: 195158

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

NVMFS5C426NAFT1G

Teilbestand: 98496

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 mOhm @ 50A, 10V,

NVMFS5C450NWFAFT1G

Teilbestand: 147918

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

FDMS86103L

Teilbestand: 86540

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V,

FCA47N60F

Teilbestand: 5421

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 73 mOhm @ 23.5A, 10V,

FDPF5N50T

Teilbestand: 42328

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

FDB075N15A

Teilbestand: 31011

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

NTMFS5C646NLT3G

Teilbestand: 119968

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

FDC658AP

Teilbestand: 164021

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V,

NTMFS4937NT3G

Teilbestand: 136449

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.2A (Ta), 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

NVMFS5C423NLWFAFT1G

Teilbestand: 121197

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 50A, 10V,

FDMS86540

Teilbestand: 113308

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V,

NVTFS6H850NTAG

Teilbestand: 272

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

NTMFS5C404NLTWFT3G

Teilbestand: 31631

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.75 mOhm @ 50A, 10V,

FCMT299N60

Teilbestand: 40588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V,

NTMFS4C06NBT3G

Teilbestand: 136755

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

FDA59N25

Teilbestand: 21830

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 29.5A, 10V,

FQPF15P12

Teilbestand: 46732

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 7.5A, 10V,

FCPF125N65S3

Teilbestand: 365

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 12A, 10V,

NTMFS4C09NBT3G

Teilbestand: 101016

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V,

NTMFS5C442NLTT3G

Teilbestand: 110215

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Ta), 130A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 50A, 10V,

NTMFD4952NFT1G

Teilbestand: 47572

FDH047AN08A0

Teilbestand: 12015

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

NTMFS4925NT3G

Teilbestand: 163634

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.7A (Ta), 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.6 mOhm @ 30A, 10V,

FDMS7676

Teilbestand: 135908

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), 28A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 19A, 10V,

NVTFS4C25NTAG

Teilbestand: 171588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.1A (Ta), 22.1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

NVTFS5116PLWFTAG

Teilbestand: 135660

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 7A, 10V,

NTTFS4C06NTWG

Teilbestand: 197105

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V,

NTTFS4C10NTWG

Teilbestand: 165634

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.4 mOhm @ 30A, 10V,

FDC653N

Teilbestand: 177411

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V,

NTMFS5C404NLTT3G

Teilbestand: 32539

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.75 mOhm @ 50A, 10V,

NVMFS4C03NWFT1G

Teilbestand: 170661

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V,

FQA30N40

Teilbestand: 10676

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 15A, 10V,

FDMS039N08B

Teilbestand: 65799

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

FCD2250N80Z

Teilbestand: 125190

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V,

FQP55N10

Teilbestand: 42908

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 55A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 27.5A, 10V,