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Dioden - Gleichrichter - Arrays

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NRVBB30H60CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB30H60CTT4G

Teilbestand: 73675

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FYPF2006DNTU
ON Semiconductor

FYPF2006DNTU

Teilbestand: 120469

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 710mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
NTSB30120CTG
ON Semiconductor

NTSB30120CTG

Teilbestand: 73997

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB30U100CTG
ON Semiconductor

NTSB30U100CTG

Teilbestand: 101770

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RHRG1560CC
ON Semiconductor

RHRG1560CC

Teilbestand: 22990

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR60L45WTG
ON Semiconductor

MBR60L45WTG

Teilbestand: 31157

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRTSV30H120CTG
ON Semiconductor

NRTSV30H120CTG

Teilbestand: 99323

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 7.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFA60UA60DN
ON Semiconductor

FFA60UA60DN

Teilbestand: 63339

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FYPF2004DNTU
ON Semiconductor

FYPF2004DNTU

Teilbestand: 146633

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF20L60CTG
ON Semiconductor

MBRF20L60CTG

Teilbestand: 71832

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FYP2010DNTU
ON Semiconductor

FYP2010DNTU

Teilbestand: 58656

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSJ20120CTG
ON Semiconductor

NTSJ20120CTG

Teilbestand: 186599

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR60L45CTG
ON Semiconductor

MBR60L45CTG

Teilbestand: 43925

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB40100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB40100CT-1G

Teilbestand: 74104

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSJ30100CTG
ON Semiconductor

NTSJ30100CTG

Teilbestand: 184505

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTST40100CTG
ON Semiconductor

NTST40100CTG

Teilbestand: 85353

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSV30120CTG
ON Semiconductor

NTSV30120CTG

Teilbestand: 184085

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.18V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB20U100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB20U100CT-1G

Teilbestand: 157651

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2550CT
ON Semiconductor

MBR2550CT

Teilbestand: 34625

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 12.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 12.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB40100CTG
ON Semiconductor

NTSB40100CTG

Teilbestand: 97239

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF10H150CTG
ON Semiconductor

MBRF10H150CTG

Teilbestand: 85174

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFSH20120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH20120ADN-F155

Teilbestand: 2915

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR3060PT
ON Semiconductor

MBR3060PT

Teilbestand: 3256

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRB2060CTT4G
ON Semiconductor

MBRB2060CTT4G

Teilbestand: 53373

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR30H30CTG
ON Semiconductor

MBR30H30CTG

Teilbestand: 101861

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVBD660CTG-VF01
ON Semiconductor

NRVBD660CTG-VF01

Teilbestand: 158106

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTST60100CTG
ON Semiconductor

NTST60100CTG

Teilbestand: 65554

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
NTST30120CTG
ON Semiconductor

NTST30120CTG

Teilbestand: 154950

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
NTSJ3080CTG
ON Semiconductor

NTSJ3080CTG

Teilbestand: 175636

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MURB1620CTRT4G
ON Semiconductor

MURB1620CTRT4G

Teilbestand: 80200

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
NRVUB1660CTT4G
ON Semiconductor

NRVUB1660CTT4G

Teilbestand: 40099

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRB41H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB41H100CTT4G

Teilbestand: 62577

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFSH4065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH4065ADN-F155

Teilbestand: 2927

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 22A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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MBRP3045NTU
ON Semiconductor

MBRP3045NTU

Teilbestand: 69150

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
FYP1010DNTU
ON Semiconductor

FYP1010DNTU

Teilbestand: 78822

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MURHB840CTG
ON Semiconductor

MURHB840CTG

Teilbestand: 45517

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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