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Dioden - Gleichrichter - Arrays

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FFSH30120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH30120ADN-F155

Teilbestand: 2973

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRB41H100CT-1G
ON Semiconductor

MBRB41H100CT-1G

Teilbestand: 65856

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFA60UP20DNTU
ON Semiconductor

FFA60UP20DNTU

Teilbestand: 47322

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor

NTSB20120CTT4G

Teilbestand: 4276

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB30100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB30100CT-1G

Teilbestand: 112353

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MURHF860CTG
ON Semiconductor

MURHF860CTG

Teilbestand: 37237

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR1610CTG
ON Semiconductor

MUR1610CTG

Teilbestand: 84177

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVBB60H100CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB60H100CTT4G

Teilbestand: 35089

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2090CTG
ON Semiconductor

MBR2090CTG

Teilbestand: 83266

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RHRG1560CC-F085
ON Semiconductor

RHRG1560CC-F085

Teilbestand: 2950

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FYP2006DNTU
ON Semiconductor

FYP2006DNTU

Teilbestand: 123509

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 710mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSJ20U100CTG
ON Semiconductor

NTSJ20U100CTG

Teilbestand: 178885

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRB3045CT-1G
ON Semiconductor

MBRB3045CT-1G

Teilbestand: 166844

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRD650CTG
ON Semiconductor

MBRD650CTG

Teilbestand: 92698

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFA60UP30DNTU
ON Semiconductor

FFA60UP30DNTU

Teilbestand: 39669

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFPF20UP30DNTU
ON Semiconductor

FFPF20UP30DNTU

Teilbestand: 40090

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR41H100CTG
ON Semiconductor

MBR41H100CTG

Teilbestand: 45283

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR4050PT
ON Semiconductor

MBR4050PT

Teilbestand: 23867

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB20120CT-1G
ON Semiconductor

NTSB20120CT-1G

Teilbestand: 80481

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR3040WTG
ON Semiconductor

MUR3040WTG

Teilbestand: 22744

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF20200CTG
ON Semiconductor

MBRF20200CTG

Teilbestand: 41383

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSV20U100CTG
ON Semiconductor

NTSV20U100CTG

Teilbestand: 74735

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBRB2545CTG
ON Semiconductor

SBRB2545CTG

Teilbestand: 1699

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF30L60CTG
ON Semiconductor

MBRF30L60CTG

Teilbestand: 154749

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FEP16JTA
ON Semiconductor

FEP16JTA

Teilbestand: 4487

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MURP20020CTG
ON Semiconductor

MURP20020CTG

Teilbestand: 4402

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
SNRVBD660CTT4G
ON Semiconductor

SNRVBD660CTT4G

Teilbestand: 146139

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB30U100CTT4G
ON Semiconductor

NTSB30U100CTT4G

Teilbestand: 140333

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
SB80W06T-TL-H
ON Semiconductor

SB80W06T-TL-H

Teilbestand: 178726

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSDEMN11XV6T5G
ON Semiconductor

NSDEMN11XV6T5G

Teilbestand: 4484

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NTSJ2080CTG
ON Semiconductor

NTSJ2080CTG

Teilbestand: 191595

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRB2545CTT4G
ON Semiconductor

MBRB2545CTT4G

Teilbestand: 84490

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRB2535CTLT4G
ON Semiconductor

MBRB2535CTLT4G

Teilbestand: 57130

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 12.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 12.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTST40120CTG
ON Semiconductor

NTST40120CTG

Teilbestand: 52315

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSVMMBD353LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBD353LT1G

Teilbestand: 149921

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBR20L60CTG
ON Semiconductor

MBR20L60CTG

Teilbestand: 178008

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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