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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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MMSD103T1
ON Semiconductor

MMSD103T1

Teilbestand: 587

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 250V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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FES16AT
ON Semiconductor

FES16AT

Teilbestand: 421

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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FJH1100_T50R
ON Semiconductor

FJH1100_T50R

Teilbestand: 5123

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.07V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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MMSD71RKT1
ON Semiconductor

MMSD71RKT1

Teilbestand: 542

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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FMKA130
ON Semiconductor

FMKA130

Teilbestand: 481

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS12T3G
ON Semiconductor

SS12T3G

Teilbestand: 586

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR1100G
ON Semiconductor

MBR1100G

Teilbestand: 166469

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS14T3
ON Semiconductor

SS14T3

Teilbestand: 353

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR105RL
ON Semiconductor

MUR105RL

Teilbestand: 5122

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MURA260T3
ON Semiconductor

MURA260T3

Teilbestand: 5124

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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MBR0520LT3
ON Semiconductor

MBR0520LT3

Teilbestand: 500

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 385mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR2100E
ON Semiconductor

MUR2100E

Teilbestand: 580

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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MBRD340G
ON Semiconductor

MBRD340G

Teilbestand: 106171

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR110
ON Semiconductor

MUR110

Teilbestand: 525

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MUR4100ERL
ON Semiconductor

MUR4100ERL

Teilbestand: 230

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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EGP20B
ON Semiconductor

EGP20B

Teilbestand: 146869

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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MBRM110ET1
ON Semiconductor

MBRM110ET1

Teilbestand: 347

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSD914XV2T1
ON Semiconductor

NSD914XV2T1

Teilbestand: 292

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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MR854RLG
ON Semiconductor

MR854RLG

Teilbestand: 144901

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 300ns,

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SS22T3
ON Semiconductor

SS22T3

Teilbestand: 5090

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RURP15100
ON Semiconductor

RURP15100

Teilbestand: 231

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 125ns,

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MUR840
ON Semiconductor

MUR840

Teilbestand: 320

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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MBRS130T3
ON Semiconductor

MBRS130T3

Teilbestand: 292

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS140LT3
ON Semiconductor

MBRS140LT3

Teilbestand: 5063

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR1560
ON Semiconductor

MUR1560

Teilbestand: 267

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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MBR350RL
ON Semiconductor

MBR350RL

Teilbestand: 237

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR815
ON Semiconductor

MUR815

Teilbestand: 277

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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RURG30120
ON Semiconductor

RURG30120

Teilbestand: 220

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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MSR1560
ON Semiconductor

MSR1560

Teilbestand: 321

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 45ns,

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MSR860
ON Semiconductor

MSR860

Teilbestand: 265

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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MUR420RL
ON Semiconductor

MUR420RL

Teilbestand: 279

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MUR410RL
ON Semiconductor

MUR410RL

Teilbestand: 275

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel
MBR150RL
ON Semiconductor

MBR150RL

Teilbestand: 255

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR1100RL
ON Semiconductor

MBR1100RL

Teilbestand: 227

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MR750RL
ON Semiconductor

MR750RL

Teilbestand: 241

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 6A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MR2510
ON Semiconductor

MR2510

Teilbestand: 225

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.18V @ 78.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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