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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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RHRD660S9A
ON Semiconductor

RHRD660S9A

Teilbestand: 146761

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MMSD485B
ON Semiconductor

MMSD485B

Teilbestand: 130510

Diodentyp: Standard, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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NSR10F20NXT5G
ON Semiconductor

NSR10F20NXT5G

Teilbestand: 120635

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SURS8160T3G
ON Semiconductor

SURS8160T3G

Teilbestand: 197091

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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MBR440MFST3G
ON Semiconductor

MBR440MFST3G

Teilbestand: 113322

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1K
ON Semiconductor

RS1K

Teilbestand: 166441

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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NRVTSAF360T3G
ON Semiconductor

NRVTSAF360T3G

Teilbestand: 195727

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR0170HT1G
ON Semiconductor

NSR0170HT1G

Teilbestand: 162206

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 15mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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US2JA
ON Semiconductor

US2JA

Teilbestand: 193381

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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NSD16F3T5G
ON Semiconductor

NSD16F3T5G

Teilbestand: 111423

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 6ns,

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MURA140T3G
ON Semiconductor

MURA140T3G

Teilbestand: 108602

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 65ns,

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NSR0620SP2T5G
ON Semiconductor

NSR0620SP2T5G

Teilbestand: 177850

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS19
ON Semiconductor

SS19

Teilbestand: 151227

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRAF1540T3G
ON Semiconductor

MBRAF1540T3G

Teilbestand: 107564

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GF1K
ON Semiconductor

GF1K

Teilbestand: 106292

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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SB007-03C-TB-E
ON Semiconductor

SB007-03C-TB-E

Teilbestand: 101112

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 70mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 10ns,

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MBR360RLG
ON Semiconductor

MBR360RLG

Teilbestand: 112186

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR140RLG
ON Semiconductor

MUR140RLG

Teilbestand: 142486

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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NRVBAF260T3G
ON Semiconductor

NRVBAF260T3G

Teilbestand: 175789

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFPF10UA60ST
ON Semiconductor

FFPF10UA60ST

Teilbestand: 77117

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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FSV15120V
ON Semiconductor

FSV15120V

Teilbestand: 190129

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVBS3200T3G
ON Semiconductor

NRVBS3200T3G

Teilbestand: 188752

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR160G
ON Semiconductor

MUR160G

Teilbestand: 174363

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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NSR01F30NXT5G
ON Semiconductor

NSR01F30NXT5G

Teilbestand: 199807

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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RHRP8120
ON Semiconductor

RHRP8120

Teilbestand: 75577

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 70ns,

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SURS8320T3G
ON Semiconductor

SURS8320T3G

Teilbestand: 125195

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MBR40250TG
ON Semiconductor

MBR40250TG

Teilbestand: 41222

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 250V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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NSVR0340HT1G
ON Semiconductor

NSVR0340HT1G

Teilbestand: 199738

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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NSR0240MXWT5G
ON Semiconductor

NSR0240MXWT5G

Teilbestand: 21632

Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GF1A
ON Semiconductor

GF1A

Teilbestand: 166993

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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NSR0240V2T5G
ON Semiconductor

NSR0240V2T5G

Teilbestand: 118441

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3ns,

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NSVBAT54M3T5G
ON Semiconductor

NSVBAT54M3T5G

Teilbestand: 156147

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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US2KA
ON Semiconductor

US2KA

Teilbestand: 135902

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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NTS245SFT1G
ON Semiconductor

NTS245SFT1G

Teilbestand: 194684

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR410RLG
ON Semiconductor

MUR410RLG

Teilbestand: 124254

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MBR150RLG
ON Semiconductor

MBR150RLG

Teilbestand: 185782

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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