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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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MBRS1100T3G
ON Semiconductor

MBRS1100T3G

Teilbestand: 131031

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR1020MW2T1G
ON Semiconductor

NSR1020MW2T1G

Teilbestand: 171022

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS240LT3G
ON Semiconductor

MBRS240LT3G

Teilbestand: 144321

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1JFP
ON Semiconductor

S1JFP

Teilbestand: 137634

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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MBRS360T3G
ON Semiconductor

MBRS360T3G

Teilbestand: 108505

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS3200T3G
ON Semiconductor

MBRS3200T3G

Teilbestand: 161075

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR130LSFT1G
ON Semiconductor

MBR130LSFT1G

Teilbestand: 165453

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 380mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB751V40T1G
ON Semiconductor

RB751V40T1G

Teilbestand: 188369

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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FDLL914
ON Semiconductor

FDLL914

Teilbestand: 108701

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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MBR0520L
ON Semiconductor

MBR0520L

Teilbestand: 112704

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 385mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBAS21LT1G
ON Semiconductor

SBAS21LT1G

Teilbestand: 181831

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 250V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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GF1G
ON Semiconductor

GF1G

Teilbestand: 172834

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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MBR130T1G
ON Semiconductor

MBR130T1G

Teilbestand: 184771

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR0320MW2T1G
ON Semiconductor

NSR0320MW2T1G

Teilbestand: 150747

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 900mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRM140T3G
ON Semiconductor

MBRM140T3G

Teilbestand: 119593

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MRA4007T3G
ON Semiconductor

MRA4007T3G

Teilbestand: 122009

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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FFPF10UP60STU
ON Semiconductor

FFPF10UP60STU

Teilbestand: 49873

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 58ns,

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SS13HE
ON Semiconductor

SS13HE

Teilbestand: 158678

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 5.6ns,

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NSR20F40NXT5G
ON Semiconductor

NSR20F40NXT5G

Teilbestand: 106134

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S2G
ON Semiconductor

S2G

Teilbestand: 113037

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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MBRS2040LT3G
ON Semiconductor

MBRS2040LT3G

Teilbestand: 119544

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR0540T3G
ON Semiconductor

MBR0540T3G

Teilbestand: 134793

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR0240V2T1G
ON Semiconductor

NSR0240V2T1G

Teilbestand: 115027

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3ns,

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MBRS140T3G
ON Semiconductor

MBRS140T3G

Teilbestand: 101708

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR05F40NXT5G
ON Semiconductor

NSR05F40NXT5G

Teilbestand: 187389

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRA340T3G
ON Semiconductor

MBRA340T3G

Teilbestand: 123158

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS245ESFT1G
ON Semiconductor

NRVTS245ESFT1G

Teilbestand: 178237

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR0530P2T5G
ON Semiconductor

NSR0530P2T5G

Teilbestand: 131901

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MRA4006T3G
ON Semiconductor

MRA4006T3G

Teilbestand: 117896

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MUR420RLG
ON Semiconductor

MUR420RLG

Teilbestand: 197678

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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S3M
ON Semiconductor

S3M

Teilbestand: 159145

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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SBAS16LT1G
ON Semiconductor

SBAS16LT1G

Teilbestand: 180294

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 6ns,

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MBRS4201T3G
ON Semiconductor

MBRS4201T3G

Teilbestand: 154737

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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FDH300TR
ON Semiconductor

FDH300TR

Teilbestand: 121199

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 125V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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MBRS2H100T3G
ON Semiconductor

MBRS2H100T3G

Teilbestand: 199401

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MMSD914T1G
ON Semiconductor

MMSD914T1G

Teilbestand: 180265

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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