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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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KSA812YMTF
ON Semiconductor

KSA812YMTF

Teilbestand: 193637

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

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MPS6562_D75Z
ON Semiconductor

MPS6562_D75Z

Teilbestand: 6456

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V,

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MJD117
ON Semiconductor

MJD117

Teilbestand: 6329

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

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MPSA55_D74Z
ON Semiconductor

MPSA55_D74Z

Teilbestand: 6474

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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MPS651G
ON Semiconductor

MPS651G

Teilbestand: 6442

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

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MPS2222AZL1
ON Semiconductor

MPS2222AZL1

Teilbestand: 6433

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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CPH3223-TL-E
ON Semiconductor

CPH3223-TL-E

Teilbestand: 196089

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

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MPS8098G
ON Semiconductor

MPS8098G

Teilbestand: 6446

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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MPS6531_D75Z
ON Semiconductor

MPS6531_D75Z

Teilbestand: 6496

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

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NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor

NJVMJD45H11D3T4G

Teilbestand: 13146

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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MPS6513_D74Z
ON Semiconductor

MPS6513_D74Z

Teilbestand: 6484

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V,

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MPSW55RLRA
ON Semiconductor

MPSW55RLRA

Teilbestand: 6414

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

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FJPF13007H2TTU
ON Semiconductor

FJPF13007H2TTU

Teilbestand: 6208

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

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PN2222ARLRMG
ON Semiconductor

PN2222ARLRMG

Teilbestand: 6439

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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MPS6725RLRPG
ON Semiconductor

MPS6725RLRPG

Teilbestand: 6440

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

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MPSA13RLRAG
ON Semiconductor

MPSA13RLRAG

Teilbestand: 6149

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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SBF720T1G
ON Semiconductor

SBF720T1G

Teilbestand: 172301

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

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MPSW01ARLRP
ON Semiconductor

MPSW01ARLRP

Teilbestand: 6459

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

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MPSA28_D27Z
ON Semiconductor

MPSA28_D27Z

Teilbestand: 6486

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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FJP5021OV
ON Semiconductor

FJP5021OV

Teilbestand: 6082

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

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KSC2330ASHBU
ON Semiconductor

KSC2330ASHBU

Teilbestand: 6725

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

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MPS6523G
ON Semiconductor

MPS6523G

Teilbestand: 6713

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

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MPSA92_J22Z
ON Semiconductor

MPSA92_J22Z

Teilbestand: 6571

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

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FJP13007H1
ON Semiconductor

FJP13007H1

Teilbestand: 6066

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

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MJE18006G
ON Semiconductor

MJE18006G

Teilbestand: 6359

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V,

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NJVMJD50T4G
ON Semiconductor

NJVMJD50T4G

Teilbestand: 148769

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

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MPSA42_J22Z
ON Semiconductor

MPSA42_J22Z

Teilbestand: 6503

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

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MPSA92RLRP
ON Semiconductor

MPSA92RLRP

Teilbestand: 6407

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

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MPSA28_D75Z
ON Semiconductor

MPSA28_D75Z

Teilbestand: 6502

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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MPSA13_D74Z
ON Semiconductor

MPSA13_D74Z

Teilbestand: 6475

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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NSVT489AMT1G
ON Semiconductor

NSVT489AMT1G

Teilbestand: 184776

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

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KSD5018TU
ON Semiconductor

KSD5018TU

Teilbestand: 6087

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 275V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA,

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NSCT817-40LT3G
ON Semiconductor

NSCT817-40LT3G

Teilbestand: 6403

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

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PN100_D75Z
ON Semiconductor

PN100_D75Z

Teilbestand: 6733

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V,

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MPSA29_D75Z
ON Semiconductor

MPSA29_D75Z

Teilbestand: 6480

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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KSB708OTU
ON Semiconductor

KSB708OTU

Teilbestand: 6613

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 1V,

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