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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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P2N2222ARL1G
ON Semiconductor

P2N2222ARL1G

Teilbestand: 6471

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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MPSA20_D74Z
ON Semiconductor

MPSA20_D74Z

Teilbestand: 6692

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

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KSB1097RTU
ON Semiconductor

KSB1097RTU

Teilbestand: 6138

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

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MJ11030
ON Semiconductor

MJ11030

Teilbestand: 6337

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 90V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V,

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MPSA56_D74Z
ON Semiconductor

MPSA56_D74Z

Teilbestand: 6530

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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NSCT2222ALT3G
ON Semiconductor

NSCT2222ALT3G

Teilbestand: 5707

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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CPH6102-TL-E
ON Semiconductor

CPH6102-TL-E

Teilbestand: 189758

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

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MMBT5401LT3
ON Semiconductor

MMBT5401LT3

Teilbestand: 6371

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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MPSA92ZL1
ON Semiconductor

MPSA92ZL1

Teilbestand: 6404

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

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NSS12500UW3T2G
ON Semiconductor

NSS12500UW3T2G

Teilbestand: 194154

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

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MSD601-RT1G
ON Semiconductor

MSD601-RT1G

Teilbestand: 9997

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

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MPS6717RLRA
ON Semiconductor

MPS6717RLRA

Teilbestand: 6649

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

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NJL4302DG
ON Semiconductor

NJL4302DG

Teilbestand: 6415

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

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SBCW66GLT1G
ON Semiconductor

SBCW66GLT1G

Teilbestand: 138281

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

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MJE180STU
ON Semiconductor

MJE180STU

Teilbestand: 149453

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

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MPSA77_D26Z
ON Semiconductor

MPSA77_D26Z

Teilbestand: 6513

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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MPSW51ARLRAG
ON Semiconductor

MPSW51ARLRAG

Teilbestand: 6704

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

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MJE18004D2
ON Semiconductor

MJE18004D2

Teilbestand: 6690

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

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MJD112RL
ON Semiconductor

MJD112RL

Teilbestand: 6411

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

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MMBTA14_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA14_D87Z

Teilbestand: 6518

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

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MMBTA06_L98Z
ON Semiconductor

MMBTA06_L98Z

Teilbestand: 6515

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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MPSA64RLRAG
ON Semiconductor

MPSA64RLRAG

Teilbestand: 6693

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

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KSC2335R
ON Semiconductor

KSC2335R

Teilbestand: 6118

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V,

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MPS6726G
ON Semiconductor

MPS6726G

Teilbestand: 6443

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

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FJE3303H2
ON Semiconductor

FJE3303H2

Teilbestand: 6478

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V,

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KSC2334OTU
ON Semiconductor

KSC2334OTU

Teilbestand: 6065

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 5V,

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KSH3055TM
ON Semiconductor

KSH3055TM

Teilbestand: 139162

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

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MJE13003G
ON Semiconductor

MJE13003G

Teilbestand: 6392

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

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MPS6724
ON Semiconductor

MPS6724

Teilbestand: 6386

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

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MJD44H11-1G
ON Semiconductor

MJD44H11-1G

Teilbestand: 116312

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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MPS2907ARLRAG
ON Semiconductor

MPS2907ARLRAG

Teilbestand: 6170

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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MJE18008G
ON Semiconductor

MJE18008G

Teilbestand: 47940

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

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MSA1162YT1
ON Semiconductor

MSA1162YT1

Teilbestand: 6410

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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KSH122TM
ON Semiconductor

KSH122TM

Teilbestand: 197256

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

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PN4275
ON Semiconductor

PN4275

Teilbestand: 6327

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 10mA, 1V,

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MPS2222RLRM
ON Semiconductor

MPS2222RLRM

Teilbestand: 6445

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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