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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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BC548ABU
ON Semiconductor

BC548ABU

Teilbestand: 5618

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

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BC547CTF
ON Semiconductor

BC547CTF

Teilbestand: 6603

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC547ABU
ON Semiconductor

BC547ABU

Teilbestand: 5672

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

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BC546CBU
ON Semiconductor

BC546CBU

Teilbestand: 5656

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC33840TA
ON Semiconductor

BC33840TA

Teilbestand: 5621

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

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BC33840BU
ON Semiconductor

BC33840BU

Teilbestand: 5703

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

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BC33716TAR
ON Semiconductor

BC33716TAR

Teilbestand: 5660

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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BC32840BU
ON Semiconductor

BC32840BU

Teilbestand: 6642

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

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BC32816BU
ON Semiconductor

BC32816BU

Teilbestand: 5671

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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BC32825BU
ON Semiconductor

BC32825BU

Teilbestand: 5697

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

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BC32725TF
ON Semiconductor

BC32725TF

Teilbestand: 5629

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

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BC327ABU
ON Semiconductor

BC327ABU

Teilbestand: 5705

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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BC309CBU
ON Semiconductor

BC309CBU

Teilbestand: 5674

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

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BC32716TF
ON Semiconductor

BC32716TF

Teilbestand: 5617

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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BC309BBU
ON Semiconductor

BC309BBU

Teilbestand: 5667

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC309BTA
ON Semiconductor

BC309BTA

Teilbestand: 5658

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC309ATA
ON Semiconductor

BC309ATA

Teilbestand: 5616

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC309ABU
ON Semiconductor

BC309ABU

Teilbestand: 5611

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC307BTA
ON Semiconductor

BC307BTA

Teilbestand: 5677

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC307BTF
ON Semiconductor

BC307BTF

Teilbestand: 5663

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC307BBU
ON Semiconductor

BC307BBU

Teilbestand: 5640

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC239BTA
ON Semiconductor

BC239BTA

Teilbestand: 6649

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC239CTA
ON Semiconductor

BC239CTA

Teilbestand: 5616

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

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BC239ATA
ON Semiconductor

BC239ATA

Teilbestand: 5687

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC239BBU
ON Semiconductor

BC239BBU

Teilbestand: 5621

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC238ATFR
ON Semiconductor

BC238ATFR

Teilbestand: 5631

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC239ABU
ON Semiconductor

BC239ABU

Teilbestand: 5689

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC237TF
ON Semiconductor

BC237TF

Teilbestand: 5658

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC237CTA
ON Semiconductor

BC237CTA

Teilbestand: 5698

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

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BC237CBU
ON Semiconductor

BC237CBU

Teilbestand: 6616

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

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BC237BU
ON Semiconductor

BC237BU

Teilbestand: 6640

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC237BTAR
ON Semiconductor

BC237BTAR

Teilbestand: 6569

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

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BC237ATA
ON Semiconductor

BC237ATA

Teilbestand: 5611

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC237BTA
ON Semiconductor

BC237BTA

Teilbestand: 5666

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel
BC237ABU
ON Semiconductor

BC237ABU

Teilbestand: 6625

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BU508AFTBTU
ON Semiconductor

BU508AFTBTU

Teilbestand: 5617

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2.25 @ 4.5A, 5V,

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