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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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BC547CTA
ON Semiconductor

BC547CTA

Teilbestand: 103850

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC549CTA
ON Semiconductor

BC549CTA

Teilbestand: 144652

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC560CTA
ON Semiconductor

BC560CTA

Teilbestand: 196533

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC556BTF
ON Semiconductor

BC556BTF

Teilbestand: 171463

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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BC556ATA
ON Semiconductor

BC556ATA

Teilbestand: 136320

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

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BC557ATA
ON Semiconductor

BC557ATA

Teilbestand: 150035

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

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BC556BTA
ON Semiconductor

BC556BTA

Teilbestand: 107832

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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BC33716TFR
ON Semiconductor

BC33716TFR

Teilbestand: 172890

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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BC857AMTF
ON Semiconductor

BC857AMTF

Teilbestand: 198379

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

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BC850CMTF
ON Semiconductor

BC850CMTF

Teilbestand: 172068

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC546BZL1G
ON Semiconductor

BC546BZL1G

Teilbestand: 5254

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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BC547CZL1G
ON Semiconductor

BC547CZL1G

Teilbestand: 5206

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC847CTT1G
ON Semiconductor

BC847CTT1G

Teilbestand: 5235

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BCX599
ON Semiconductor

BCX599

Teilbestand: 6598

Transistortyp: NPN,

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BCX79_J35Z
ON Semiconductor

BCX79_J35Z

Teilbestand: 5238

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V,

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BC558B_J35Z
ON Semiconductor

BC558B_J35Z

Teilbestand: 5190

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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BC549C_J35Z
ON Semiconductor

BC549C_J35Z

Teilbestand: 5211

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BC557_J35Z
ON Semiconductor

BC557_J35Z

Teilbestand: 5203

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

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BC32716_J35Z
ON Semiconductor

BC32716_J35Z

Teilbestand: 6604

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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BC369_J35Z
ON Semiconductor

BC369_J35Z

Teilbestand: 5221

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

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BC213_J35Z
ON Semiconductor

BC213_J35Z

Teilbestand: 5255

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 2mA, 5V,

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BC238A_J35Z
ON Semiconductor

BC238A_J35Z

Teilbestand: 6571

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC307_J35Z
ON Semiconductor

BC307_J35Z

Teilbestand: 5222

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

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BC184L_J35Z
ON Semiconductor

BC184L_J35Z

Teilbestand: 5267

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 100mA, 5V,

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BUL146F
ON Semiconductor

BUL146F

Teilbestand: 5194

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V,

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BUD42D-001
ON Semiconductor

BUD42D-001

Teilbestand: 5235

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

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BUH100
ON Semiconductor

BUH100

Teilbestand: 5253

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 700V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 1.5A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V,

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BDV65B
ON Semiconductor

BDV65B

Teilbestand: 5191

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

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BDW46
ON Semiconductor

BDW46

Teilbestand: 5228

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

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BD788
ON Semiconductor

BD788

Teilbestand: 5248

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V,

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BD180
ON Semiconductor

BD180

Teilbestand: 5190

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

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BC859BLT1
ON Semiconductor

BC859BLT1

Teilbestand: 5240

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

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BD137
ON Semiconductor

BD137

Teilbestand: 5220

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

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BC856ALT3G
ON Semiconductor

BC856ALT3G

Teilbestand: 5221

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

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BC849BLT1
ON Semiconductor

BC849BLT1

Teilbestand: 5226

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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BC849CLT1
ON Semiconductor

BC849CLT1

Teilbestand: 5202

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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