Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2SC48050QL

2SC48050QL

Teilbestand: 5186

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V,

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2SD08740RL

2SD08740RL

Teilbestand: 5149

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

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2SC26310RA

2SC26310RA

Teilbestand: 5168

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

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2SB1463JRL

2SB1463JRL

Teilbestand: 6554

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

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2SD12690P

2SD12690P

Teilbestand: 5731

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V,

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2SD16330P

2SD16330P

Teilbestand: 5178

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 3V,

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2SD2420AP

2SD2420AP

Teilbestand: 5120

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V,

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2SD12630P

2SD12630P

Teilbestand: 5125

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 750mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 300mA, 10V,

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2SC3743

2SC3743

Teilbestand: 5121

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 160mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 100mA, 5V,

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2SB0947AP

2SB0947AP

Teilbestand: 5118

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 230mA, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 2A, 2V,

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2SB09420P

2SB09420P

Teilbestand: 5107

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

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2SB09450Q

2SB09450Q

Teilbestand: 5152

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 2A, 2V,

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2SC59930P

2SC59930P

Teilbestand: 5169

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

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2SB09700SL

2SB09700SL

Teilbestand: 5180

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

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2SD25980RA

2SD25980RA

Teilbestand: 5104

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 500mA, 10V,

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2SD22490RA

2SD22490RA

Teilbestand: 5120

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V,

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2SB09700RL

2SB09700RL

Teilbestand: 5118

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

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2SA07770R

2SA07770R

Teilbestand: 5114

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

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2SD18240RL

2SD18240RL

Teilbestand: 5137

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

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2SD11490SL

2SD11490SL

Teilbestand: 5133

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V,

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2SB0789ARL

2SB0789ARL

Teilbestand: 5119

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

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2SB1030A

2SB1030A

Teilbestand: 5163

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

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2SC3311A0A

2SC3311A0A

Teilbestand: 6536

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

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2SD14740P

2SD14740P

Teilbestand: 5089

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 1A, 4V,

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2SD1267AP

2SD1267AP

Teilbestand: 5099

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

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2SC3944AQ

2SC3944AQ

Teilbestand: 5172

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V,

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2SA09140R

2SA09140R

Teilbestand: 5143

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

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2SD1992A0A

2SD1992A0A

Teilbestand: 5157

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V,

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2SA207800L

2SA207800L

Teilbestand: 5656

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

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2SB1440GRL

2SB1440GRL

Teilbestand: 5175

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

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2SA15320CL

2SA15320CL

Teilbestand: 5140

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V,

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2SD2620G0L

2SD2620G0L

Teilbestand: 5159

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

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2SD18240SL

2SD18240SL

Teilbestand: 6552

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V,

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2SC441000L

2SC441000L

Teilbestand: 5102

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 7V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 1V,

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2SC3929ASL

2SC3929ASL

Teilbestand: 5085

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V,

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2SB07920SL

2SB07920SL

Teilbestand: 127262

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 10mA, 5V,

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