Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2SC3935GQL

2SC3935GQL

Teilbestand: 190080

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 7.2mA, 2.4V,

Wunschzettel
2SD1979GSL

2SD1979GSL

Teilbestand: 167136

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 4mA, 2V,

Wunschzettel
2SC6054J0L

2SC6054J0L

Teilbestand: 181692

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel
2SA2028G0L

2SA2028G0L

Teilbestand: 189139

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 200mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel
2SC370700L

2SC370700L

Teilbestand: 127779

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 7V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 1V,

Wunschzettel
2SD1819GSL

2SD1819GSL

Teilbestand: 125238

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel
2SD18200RL

2SD18200RL

Teilbestand: 142046

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2SA1790JCL

2SA1790JCL

Teilbestand: 171165

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V,

Wunschzettel
2SB0709ASL

2SB0709ASL

Teilbestand: 171379

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel
2SB1220GRL

2SB1220GRL

Teilbestand: 199394

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel
2SD05920RA

2SD05920RA

Teilbestand: 128101

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
2SA201000L

2SA201000L

Teilbestand: 187860

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel
2SC45620RL

2SC45620RL

Teilbestand: 103183

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel
2SB1219GSL

2SB1219GSL

Teilbestand: 151076

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2SA20090SL

2SA20090SL

Teilbestand: 150005

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel
2SA202800L

2SA202800L

Teilbestand: 140320

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 200mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel
2SA10340SL

2SA10340SL

Teilbestand: 109403

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel
2SB0710ASL

2SB0710ASL

Teilbestand: 113066

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2SB12190RL

2SB12190RL

Teilbestand: 140591

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2SC555600L

2SC555600L

Teilbestand: 177239

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 20mA, 8V,

Wunschzettel
2SB0710AQL

2SB0710AQL

Teilbestand: 152794

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2SA2161J0L

2SA2161J0L

Teilbestand: 182957

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Wunschzettel
2SB07100QL

2SB07100QL

Teilbestand: 141642

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel
2SB12200RL

2SB12200RL

Teilbestand: 163986

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel
2SC370400L

2SC370400L

Teilbestand: 157532

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V,

Wunschzettel
2SC565400L

2SC565400L

Teilbestand: 119208

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 200mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel
2SB169300L

2SB169300L

Teilbestand: 120220

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel
2SC382900L

2SC382900L

Teilbestand: 6134

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V,

Wunschzettel
2SB13980QA

2SB13980QA

Teilbestand: 196718

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2A, 2V,

Wunschzettel
2SD2620J0L

2SD2620J0L

Teilbestand: 5627

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel
2SD245300L

2SD245300L

Teilbestand: 5668

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

Wunschzettel
2SD256500A

2SD256500A

Teilbestand: 5599

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 250mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V,

Wunschzettel
2SD22580RA

2SD22580RA

Teilbestand: 5604

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V,

Wunschzettel
2SD2240JRL

2SD2240JRL

Teilbestand: 5670

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel
2SD21790RA

2SD21790RA

Teilbestand: 5640

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel
2SD22250RA

2SD22250RA

Teilbestand: 5610

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel