Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Rohm Semiconductor

RF6E045AJTCR

Teilbestand: 153469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23.7 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RCJ220N25TL

Teilbestand: 54220

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RT1E040RPTR

Teilbestand: 152920

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3H200SNTL1

Teilbestand: 158

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCJ160N20TL

Teilbestand: 91882

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6012ANX

Teilbestand: 17433

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 6A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RV2C010UNT2L

Teilbestand: 151401

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 470 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RV3C002UNT2CL

Teilbestand: 175769

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 150mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

US5U2TR

Teilbestand: 157629

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3S075CNTL1

Teilbestand: 131

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 190V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 336 mOhm @ 3.8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RAF040P01TCL

Teilbestand: 139620

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RZM002P02T2L

Teilbestand: 182920

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RF6C055BCTCR

Teilbestand: 197989

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RCJ081N20TL

Teilbestand: 153113

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 770 mOhm @ 4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3U080CNTL1

Teilbestand: 97

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3P175SNTL1

Teilbestand: 150

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 8.8A, 10V,

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RK7002BMHZGT116

Rohm Semiconductor

RK7002BMHZGT116

Teilbestand: 79

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3L150SNTL1

Teilbestand: 157

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSF014N03TL

Teilbestand: 174306

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCX120N20

Teilbestand: 73240

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 325 mOhm @ 6A, 10V,

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Rohm Semiconductor

TT8U2TR

Teilbestand: 109118

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

R6002END3TL1

Teilbestand: 68

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 Ohm @ 500mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

RD3T075CNTL1

Teilbestand: 125

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 325 mOhm @ 3.75A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RTL020P02FRATR

Teilbestand: 67

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

R6011ENJTL

Teilbestand: 40385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 390 mOhm @ 3.8A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RHP030N03T100

Teilbestand: 173309

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RUF025N02TL

Teilbestand: 125357

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RCJ120N20TL

Teilbestand: 136621

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 325 mOhm @ 6A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1G260MNTB

Teilbestand: 88458

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 26A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RF4E110BNTR

Teilbestand: 189891

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.1 mOhm @ 11A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RS1G150MNTB

Teilbestand: 189017

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.6 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

R6004ENJTL

Teilbestand: 123366

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCJ100N25TL

Teilbestand: 92467

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 320 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RTL035N03TR

Teilbestand: 153067

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

QS6U22TR

Teilbestand: 189712

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RQ5A030APTL

Teilbestand: 160749

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 3A, 4.5V,

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