Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Rohm Semiconductor

RF201LAM4STR

Teilbestand: 16211

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Rohm Semiconductor

RBR3LAM40ATR

Teilbestand: 16266

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RLS139TE-11

Teilbestand: 9956

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Rohm Semiconductor

RF101LAM4STR

Teilbestand: 162822

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

SCS105KGC

Teilbestand: 8119

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Rohm Semiconductor

RB578VAM100TR

Teilbestand: 108992

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RRE04EA4DTR

Teilbestand: 128252

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB420DT146

Teilbestand: 147320

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RSX301LAM30TR

Teilbestand: 160819

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR1LAM60ATFTR

Teilbestand: 16238

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RRE07VSM6STR

Teilbestand: 139452

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 700mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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RB160VYM-60FHTR

Rohm Semiconductor

RB160VYM-60FHTR

Teilbestand: 24336

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 6.65ns,

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Rohm Semiconductor

RSX101MM-30TR

Teilbestand: 124158

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR1MM60ATR

Teilbestand: 120809

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB068LAM100TR

Teilbestand: 128930

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB530CM-60T2R

Teilbestand: 178589

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 15mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB161MM-20TR

Teilbestand: 122571

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 25V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB058LAM150TR

Teilbestand: 115876

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR2LAM40ATR

Teilbestand: 173316

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR3LAM60ATFTR

Teilbestand: 24380

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB751SM-40T2R

Teilbestand: 123493

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RB550SS-30T2R

Teilbestand: 192422

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB060MM-60TR

Teilbestand: 123341

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RR1LAM6STR

Teilbestand: 124979

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR2LAM60BTR

Teilbestand: 166607

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB160MM-60TR

Teilbestand: 107914

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB058LAM-60TFTR

Rohm Semiconductor

RB058LAM-60TFTR

Teilbestand: 24303

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35.3ns,

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Rohm Semiconductor

RB530S-30TE61

Teilbestand: 170173

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RB160VAM-40TR

Teilbestand: 138260

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB521S-40TE61

Teilbestand: 114286

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RFN1LAM6STR

Teilbestand: 168631

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 800mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Rohm Semiconductor

RR1VWM6STFTR

Teilbestand: 24373

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RF071MM2STR

Teilbestand: 169777

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RF101LAM2STR

Teilbestand: 137255

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 870mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RF05VAM2STR

Teilbestand: 124758

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RB050LAM-40TR

Teilbestand: 142695

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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