Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 18

RB201A60T-31

Teilbestand: 1216

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RF501B2STL

Teilbestand: 1307

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Rohm Semiconductor

RFN5B6STL

Teilbestand: 1236

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Rohm Semiconductor

RB160A90T-32

Teilbestand: 1212

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFN10BM3STL

Teilbestand: 185895

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 350V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Rohm Semiconductor

RB075BM40SFHTL

Teilbestand: 10841

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 15.2ns,

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Rohm Semiconductor

SCS205KGC

Teilbestand: 12808

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Rohm Semiconductor

RR601BM4STL

Teilbestand: 185207

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFNL5BGE6STL

Teilbestand: 10780

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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Rohm Semiconductor

RF301BGE2STL

Teilbestand: 10817

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RB168MM-40TR

Teilbestand: 173372

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB056LAM-40TFTR

Teilbestand: 9950

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RF202LAM2STFTR

Teilbestand: 9997

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RB162L-60TE25

Teilbestand: 193173

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR5LAM30BTFTR

Teilbestand: 9917

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168VYM-40FHTR

Teilbestand: 9963

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 6.7ns,

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Rohm Semiconductor

RB168LAM-30TFTR

Teilbestand: 9955

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB500VM-40TE-17

Teilbestand: 147628

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RR2LAM4STFTR

Teilbestand: 152510

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB161VAM-20TR

Teilbestand: 168059

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB051LAM-40TR

Teilbestand: 131225

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB055LAM-40TFTR

Teilbestand: 9905

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 14.6ns,

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Rohm Semiconductor

RBR2MM40BTR

Teilbestand: 132875

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RR2LAM6STFTR

Teilbestand: 187576

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RSX205LAM30TFTR

Teilbestand: 9951

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB050LAM-60TFTR

Teilbestand: 9944

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 26.35ns,

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Rohm Semiconductor

RB168VAM150TR

Teilbestand: 9973

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR3LAM30ATFTR

Teilbestand: 9966

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB058LAM-60TR

Teilbestand: 119370

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB055LAM-40TR

Teilbestand: 149788

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB068MM-60TR

Teilbestand: 144492

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 765mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB055LAM-30TR

Teilbestand: 168486

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR3MM30ATR

Teilbestand: 126844

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB450FT106

Teilbestand: 154217

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RB162LAM-40TFTR

Teilbestand: 9979

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB080LAM-30TR

Teilbestand: 183803

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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