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M93C86-MN6P

M93C86-MN6P

Teilbestand: 116586

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M34D64-WMN6P

M34D64-WMN6P

Teilbestand: 8393

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M48Z02-150PC1

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Teilbestand: 9203

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

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M95256-WMW6G

M95256-WMW6G

Teilbestand: 9668

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND01GW3B2AN6F

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Teilbestand: 9787

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 30ns,

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M93C86-WBN6P

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Teilbestand: 9467

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND128W3A0AN6E

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Teilbestand: 9985

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M93C46-WBN6P

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Teilbestand: 9367

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93S56-WBN6P

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Teilbestand: 9557

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95080-MN6T

M95080-MN6T

Teilbestand: 9589

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND512W3A0AN6

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Teilbestand: 9966

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M29W200BB70M1

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Teilbestand: 7753

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M29F080D70N1

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Teilbestand: 6752

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M93C56-WBN6

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Teilbestand: 9400

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C76-WMN6T

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Teilbestand: 9471

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND512W3A2BN6F

NAND512W3A2BN6F

Teilbestand: 10039

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M93C76-WMN6P

M93C76-WMN6P

Teilbestand: 9406

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND256W3A0AN6F

NAND256W3A0AN6F

Teilbestand: 9948

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M95160-MN6P

M95160-MN6P

Teilbestand: 9628

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M29W040B90K1

M29W040B90K1

Teilbestand: 7500

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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M29W010B90N1

M29W010B90N1

Teilbestand: 7416

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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M93C56-MN6TP

M93C56-MN6TP

Teilbestand: 9395

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C76-MN6TP

M93C76-MN6TP

Teilbestand: 9470

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95128-WMN6T

M95128-WMN6T

Teilbestand: 9665

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 128Kb (16K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND01GW4B2AN6E

NAND01GW4B2AN6E

Teilbestand: 9800

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 30ns,

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M29F200BB45N1

M29F200BB45N1

Teilbestand: 6796

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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M59DR032EA10ZB6T

M59DR032EA10ZB6T

Teilbestand: 9284

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (2M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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M93C46-RDS6TG

M93C46-RDS6TG

Teilbestand: 9316

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M87C257-15C6

M87C257-15C6

Teilbestand: 9232

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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NAND256W3A0AN6

NAND256W3A0AN6

Teilbestand: 9891

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M95080-WMN6

M95080-WMN6

Teilbestand: 9642

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M36DR432AD10ZA6T

M36DR432AD10ZA6T

Teilbestand: 8420

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 32Mb (2M x 16),

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NAND02GW3B2AN6F

NAND02GW3B2AN6F

Teilbestand: 10039

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 30ns,

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M58LW032D90ZA6

M58LW032D90ZA6

Teilbestand: 9102

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

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M95160-MN6TP

M95160-MN6TP

Teilbestand: 9724

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93S66-WBN6

M93S66-WBN6

Teilbestand: 9598

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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