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M48Z512BV-85PM1

M48Z512BV-85PM1

Teilbestand: 1719

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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M24C64-WMN6P

M24C64-WMN6P

Teilbestand: 488

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M48Z12-150PC1

M48Z12-150PC1

Teilbestand: 8889

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

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M24C32M-FCU6T/TF

M24C32M-FCU6T/TF

Teilbestand: 152428

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 32Kb (4K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M27W512-100K6TR

M27W512-100K6TR

Teilbestand: 674

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M95080-RMN6P

M95080-RMN6P

Teilbestand: 671

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95010-RMN6P

M95010-RMN6P

Teilbestand: 619

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M48Z35Y-70MH1F

M48Z35Y-70MH1F

Teilbestand: 9901

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M24M01-RMW6G

M24M01-RMW6G

Teilbestand: 487

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C86-MN6

M93C86-MN6

Teilbestand: 9511

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95020-WMN6T

M95020-WMN6T

Teilbestand: 9559

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M36W432T85ZA6T

M36W432T85ZA6T

Teilbestand: 8468

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 32Mb (2M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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M29W040B70N1

M29W040B70N1

Teilbestand: 7422

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M93S56-WBN6

M93S56-WBN6

Teilbestand: 9585

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C46-MN6

M93C46-MN6

Teilbestand: 9996

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M48Z02-70PC1

M48Z02-70PC1

Teilbestand: 9233

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M93C66-MN6TP

M93C66-MN6TP

Teilbestand: 9418

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M59DR032EA10ZB6

M59DR032EA10ZB6

Teilbestand: 9257

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (2M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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M93C56-RMN6P

M93C56-RMN6P

Teilbestand: 9334

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C46-RDS6G

M93C46-RDS6G

Teilbestand: 9301

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND256W3A2BN6F

NAND256W3A2BN6F

Teilbestand: 9953

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M95160-MN6T

M95160-MN6T

Teilbestand: 9716

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C56-RDS6G

M93C56-RDS6G

Teilbestand: 9417

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M87C257-12F1

M87C257-12F1

Teilbestand: 9267

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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NAND128W3A0AN6F

NAND128W3A0AN6F

Teilbestand: 9809

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M29W200BB90N6

M29W200BB90N6

Teilbestand: 7838

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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M95256-RMN6P

M95256-RMN6P

Teilbestand: 2371

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93C66-MN6P

M93C66-MN6P

Teilbestand: 9383

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M87C257-15F6

M87C257-15F6

Teilbestand: 9319

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M58WR064ET70ZB6T

M58WR064ET70ZB6T

Teilbestand: 9207

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 66MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M95080-MN6P

M95080-MN6P

Teilbestand: 9623

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95160-WMN6

M95160-WMN6

Teilbestand: 9671

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95040-MN6TP

M95040-MN6TP

Teilbestand: 9621

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 10MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95128-RDW6TG

M95128-RDW6TG

Teilbestand: 9635

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 128Kb (16K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M95320-WDW6TG

M95320-WDW6TG

Teilbestand: 9754

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 32Kb (4K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M29W200BT55N1

M29W200BT55N1

Teilbestand: 9779

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Mb (256K x 8, 128K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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