Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

1N4730G R0G

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 9 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749G R0G

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 18.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5235B A0G

Teilbestand: 188

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744G R0G

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745G R0G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 16 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 12.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4728G R0G

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751G R0G

Teilbestand: 242

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 22.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4735G R0G

Teilbestand: 212

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5237B A0G

Teilbestand: 219

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5242B A0G

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5263B A0G

Teilbestand: 283

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5238B A0G

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5232B A0G

Teilbestand: 207

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 11 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5243B A0G

Teilbestand: 239

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5258B A0G

Teilbestand: 255

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5253B A0G

Teilbestand: 224

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 25V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5228B A0G

Teilbestand: 254

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 23 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5250B A0G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5239B A0G

Teilbestand: 226

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5254B A0G

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 41 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5241B A0G

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 22 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 8.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5257B A0G

Teilbestand: 241

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 58 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5236B A0G

Teilbestand: 276

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 6 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5234B A0G

Teilbestand: 249

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5233B A0G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 3.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5260B A0G

Teilbestand: 251

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 93 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5255B A0G

Teilbestand: 260

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 28V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 44 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5244B A0G

Teilbestand: 275

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 14V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5248B A0G

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 21 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5230B A0G

Teilbestand: 286

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 19 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5231B A0G

Teilbestand: 245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5229B A0G

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 22 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5256B A0G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 49 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5240B A0G

Teilbestand: 268

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5246B A0G

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N5251B A0G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 29 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 17V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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