Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZX584B5V1 RKG

Teilbestand: 147

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C3V3 A0G

Teilbestand: 120

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 25µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C5V6 A0G

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B62 A0G

Teilbestand: 106

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B56 L0G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 135 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 42V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C6V2 A0G

Teilbestand: 132

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C3V3 A0G

Teilbestand: 144

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C16 A0G

Teilbestand: 163

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C6V8 A0G

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C3V0 A0G

Teilbestand: 130

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C82PHM2G

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 82V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 62V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C120P RVG

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 120.5V, Toleranz: ±5.39%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 300 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 91V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68PHM2G

Teilbestand: 149

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C16P MHG

Teilbestand: 148

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16.2V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C30P M2G

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±6.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C43P M2G

Teilbestand: 165

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±6.97%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C39PHRTG

Teilbestand: 224

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5.12%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 30V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1PHMQG

Teilbestand: 232

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.05V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C16P RTG

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5.625%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C36P MHG

Teilbestand: 190

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C62PHMHG

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±6.45%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C27P RFG

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±7.03%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C100P RHG

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22PHRQG

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.05V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C180PHMHG

Teilbestand: 202

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 179.5V, Toleranz: ±6.4%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 450 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 130V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C12P MTG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5.41%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C27P MHG

Teilbestand: 141

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±7.03%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C16P RHG

Teilbestand: 201

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16.2V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C18P RFG

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C62P RTG

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±6.45%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2PHRTG

Teilbestand: 139

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±6.09%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 2 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C16P RTG

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16.2V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C75P RHG

Teilbestand: 156

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C43PHRHG

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±6.97%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C75P MHG

Teilbestand: 152

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C24PHMQG

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24.2V, Toleranz: ±5.78%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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