Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZX79C6V8 A0G

Teilbestand: 133

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B7V5 L0G

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B5V6 L0G

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C18 A0G

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C30 A0G

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C8V2 L0G

Teilbestand: 161

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C27 A0G

Teilbestand: 106

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C3V0 A0G

Teilbestand: 190

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C3V9 A0G

Teilbestand: 122

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C51 A0G

Teilbestand: 144

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 115 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C11 A0G

Teilbestand: 150

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B4V7 L0G

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B18 L0G

Teilbestand: 159

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C6V8 A0G

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 3.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C8V2 A0G

Teilbestand: 202

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 700nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B5V1 L0G

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C30 L0G

Teilbestand: 129

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C2V2 A0G

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C13 L0G

Teilbestand: 117

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C2V7 A0G

Teilbestand: 144

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C33 A0G

Teilbestand: 165

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B30 L0G

Teilbestand: 163

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C5V6 A0G

Teilbestand: 110

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C3V0 L0G

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C30 A0G

Teilbestand: 163

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C15 A0G

Teilbestand: 128

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B43 L0G

Teilbestand: 125

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B8V2 L0G

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C12 A0G

Teilbestand: 186

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C12 L0G

Teilbestand: 130

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B20 L0G

Teilbestand: 135

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C3V9 A0G

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C6V2 A0G

Teilbestand: 148

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C56 L0G

Teilbestand: 143

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 135 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 42V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C6V2 L0G

Teilbestand: 188

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C12 A0G

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 9 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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