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Dioden - Brückengleichrichter

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TS35P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P05G C2G

Teilbestand: 136

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBPC1502 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1502 T0G

Teilbestand: 141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel
GBPC2506 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2506 T0G

Teilbestand: 161

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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UR8KB80 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

UR8KB80 C2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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DBLS153G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS153G C1G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel
TS50P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P05GHC2G

Teilbestand: 112

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBPC1510M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1510M T0G

Teilbestand: 142

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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DBLS158GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS158GHC1G

Teilbestand: 162

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

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DBLS203GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS203GHC1G

Teilbestand: 102

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

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GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU806HD2G

Teilbestand: 124

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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TS20P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P01G D2G

Teilbestand: 161

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

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TS15P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P02GHC2G

Teilbestand: 215

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

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TS20P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P05GHC2G

Teilbestand: 239

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBPC1506M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1506M T0G

Teilbestand: 77

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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TS6P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P06G D2G

Teilbestand: 206

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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TS6P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P04G C2G

Teilbestand: 226

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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TS15P03G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P03G C2G

Teilbestand: 246

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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TS10P03G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P03G C2G

Teilbestand: 183

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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GBU802HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU802HD2G

Teilbestand: 142

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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GBU802 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU802 D2G

Teilbestand: 153

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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GBU15L06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU15L06 D2G

Teilbestand: 196

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 960mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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TS6P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P06G C2G

Teilbestand: 151

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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TS20P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P04GHD2G

Teilbestand: 173

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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DBLS101GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS101GHRDG

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 50V,

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TS20P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P03GHD2G

Teilbestand: 219

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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TS6P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P02G D2G

Teilbestand: 153

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel
TS15P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P02GHD2G

Teilbestand: 184

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel
TS15P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P07GHC2G

Teilbestand: 221

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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TS15PL05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL05GHD2G

Teilbestand: 236

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU804HD2G

Teilbestand: 121

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel
GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU801HD2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel
TS15P04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P04GHC2G

Teilbestand: 238

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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TS15P01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P01G C2G

Teilbestand: 195

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

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SBS26HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS26HREG

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 60V,

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TS10P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P04G C2G

Teilbestand: 182

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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HDBLS107G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS107G C1G

Teilbestand: 87

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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