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Dioden - Brückengleichrichter

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GBU2507 D2
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU2507 D2

Teilbestand: 5234

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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TS15P05G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P05G-K D2G

Teilbestand: 8768

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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KBP153G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP153G C2

Teilbestand: 2958

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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DBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS105G RDG

Teilbestand: 6473

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

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RABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation

RABS15M REG

Teilbestand: 4339

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1000V,

Wunschzettel
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU605 D2G

Teilbestand: 6408

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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TS4K60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS4K60 D3G

Teilbestand: 3336

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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KBP204G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP204G C2

Teilbestand: 8772

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS102G RDG

Teilbestand: 6454

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

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KBP304G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP304G C2G

Teilbestand: 8792

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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KBP203G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP203G C2

Teilbestand: 8856

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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KBP305G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP305G C2

Teilbestand: 8788

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GBU1006 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1006 D2G

Teilbestand: 4585

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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TS25P07G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P07G-K D2G

Teilbestand: 8798

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU607 D2G

Teilbestand: 10162

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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KBP206G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP206G C2G

Teilbestand: 2972

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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KBP207G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP207G C2

Teilbestand: 8774

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP307G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP307G C2

Teilbestand: 8851

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP307G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP307G C2G

Teilbestand: 8776

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP107G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP107G C2G

Teilbestand: 8860

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP156G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP156G C2

Teilbestand: 8828

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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KBP101G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP101G C2

Teilbestand: 8781

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

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GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU405 D2G

Teilbestand: 8719

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
KBP207G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP207G C2G

Teilbestand: 8853

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10KL80 D3G

Teilbestand: 5234

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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KBP154G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP154G C2G

Teilbestand: 8772

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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D2SB60 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB60 D2G

Teilbestand: 4811

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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KBPF307G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF307G B0G

Teilbestand: 8775

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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TS25P05G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P05G-K D2G

Teilbestand: 8851

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
KBP306G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP306G C2G

Teilbestand: 8828

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel
KBPF205G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF205G B0G

Teilbestand: 8809

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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YBS2206G RAG
Taiwan Semiconductor Corporation

YBS2206G RAG

Teilbestand: 9944

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 2.2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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KBP102G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP102G C2

Teilbestand: 8763

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

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KBP301G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP301G C2G

Teilbestand: 8785

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

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TS25P07G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P07G-K C2G

Teilbestand: 8764

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP153G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP153G C2G

Teilbestand: 8775

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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