Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

VS-71HF140

Teilbestand: 5129

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.46V @ 220A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS16-E3/5AT

Teilbestand: 184975

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16FLR60S05

Teilbestand: 13058

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTR-M3

Teilbestand: 174439

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3211

Teilbestand: 14280

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1205A

Teilbestand: 18413

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 12A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TRL-M3

Teilbestand: 185197

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFL20S02

Teilbestand: 6765

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 219.8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42HF80

Teilbestand: 11826

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR80

Teilbestand: 17824

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 19A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FR40

Teilbestand: 19024

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.26V @ 38A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3882

Teilbestand: 14344

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1186RA

Teilbestand: 9707

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 126A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS1M-E3/H

Teilbestand: 105

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.12V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3210R

Teilbestand: 17640

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

S1G-M3/5AT

Teilbestand: 173338

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3881

Teilbestand: 16505

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ045STRL-M3

Teilbestand: 107397

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFLR80S05

Teilbestand: 6340

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 266.9A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6F40

Teilbestand: 17812

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 19A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS14HE3_B/I

Teilbestand: 143

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FL100S05

Teilbestand: 13024

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR80

Teilbestand: 8623

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR10

Teilbestand: 8884

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-41HFR160M

Teilbestand: 4160

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 125A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-41HF140

Teilbestand: 7060

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR100

Teilbestand: 14093

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 19A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FR10

Teilbestand: 22784

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.26V @ 38A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

US1K-M3/5AT

Teilbestand: 112270

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2FH10-M3/I

Teilbestand: 138848

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

CS1M-E3/I

Teilbestand: 168122

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR80M

Teilbestand: 3936

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

ES1CHE3_A/H

Teilbestand: 139091

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1F4HM3/I

Teilbestand: 148380

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16F20

Teilbestand: 23379

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.23V @ 50A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1188R

Teilbestand: 15235

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 110A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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