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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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SS12P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P3LHM3_A/I

Teilbestand: 190363

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PM-M3/87A

Teilbestand: 155600

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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V10P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6HM3_A/H

Teilbestand: 82

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-12TQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRRHM3

Teilbestand: 70233

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-400U80D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400U80D

Teilbestand: 1172

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.62V @ 1500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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V12P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P10HM3_A/I

Teilbestand: 193778

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-10WQ045FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRLHM3

Teilbestand: 62422

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-8TQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRLHM3

Teilbestand: 69195

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V10P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8HM3_A/H

Teilbestand: 156

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8P20-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P20-M3/87A

Teilbestand: 123684

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-19TQ015S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015S-M3

Teilbestand: 93743

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 19A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 19A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS24/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24/1

Teilbestand: 197771

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-12F80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12F80

Teilbestand: 16165

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.26V @ 38A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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US1J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

US1J-M3/5AT

Teilbestand: 181290

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SA2G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2G-E3/61T

Teilbestand: 148498

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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VS-1N1189RA
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1189RA

Teilbestand: 11809

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 126A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-40HFL60S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL60S05

Teilbestand: 8997

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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VS-6FR10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR10

Teilbestand: 14081

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 19A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-12FL60S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FL60S05

Teilbestand: 13745

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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VS-1N1183R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1183R

Teilbestand: 15921

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 110A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-150UR60D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-150UR60D

Teilbestand: 2128

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.47V @ 600A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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US1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

US1D-E3/5AT

Teilbestand: 148950

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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VS-12TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRL-M3

Teilbestand: 90962

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-45LR10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-45LR10

Teilbestand: 2224

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 471A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SS1P4LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4LHE3/84A

Teilbestand: 112187

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SA2M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2M-E3/61T

Teilbestand: 170801

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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VS-41HFR40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-41HFR40M

Teilbestand: 4211

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-85HFR100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR100

Teilbestand: 6208

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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S1J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1J-M3/5AT

Teilbestand: 184482

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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GL41M/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41M/54

Teilbestand: 146994

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-70HFR60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR60M

Teilbestand: 4388

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-45L60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-45L60

Teilbestand: 2118

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 471A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SS2FL4-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2FL4-M3/I

Teilbestand: 125741

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CSA2K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CSA2K-E3/H

Teilbestand: 118

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.1µs,

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VS-88HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-88HF40

Teilbestand: 8237

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 267A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-42HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42HF120

Teilbestand: 11471

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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