Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

3LP01SS-TL-EX

Teilbestand: 2251

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

Teilbestand: 130398

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

Teilbestand: 174489

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

Teilbestand: 1963

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

Teilbestand: 161259

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

Teilbestand: 137899

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

Teilbestand: 133843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

Teilbestand: 111476

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

Teilbestand: 1924

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

Teilbestand: 1979

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

Teilbestand: 1806

3LP01M-TL-E

Teilbestand: 137438

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

Teilbestand: 1190

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

Teilbestand: 1133

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

Teilbestand: 1184

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

Teilbestand: 1110

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

Teilbestand: 9511

5LN01C-TB-EX

Teilbestand: 2353

5HN01C-TB-EX

Teilbestand: 2210

5HP01M-TL-H

Teilbestand: 110639

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

Teilbestand: 114622

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

Teilbestand: 1973

5HP01SS-TL-E

Teilbestand: 142336

5HP01SS-TL-H

Teilbestand: 108914

5HP01C-TB-H

Teilbestand: 157648

5HP01M-TL-E

Teilbestand: 1963

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

Teilbestand: 1979

5HP01C-TB-E

Teilbestand: 6246

5HN01SS-TL-H

Teilbestand: 146833

5HN01SS-TL-E

Teilbestand: 154338

5HN01M-TL-E

Teilbestand: 1932

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

Teilbestand: 102036

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

3N164

Teilbestand: 1783

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-E3

Teilbestand: 1851

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163

Teilbestand: 1830

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-2

Teilbestand: 6254

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,