Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

5HN01C-TB-H

Teilbestand: 147399

5HN01C-TB-E

Teilbestand: 176441

5LN01SP-AC

Teilbestand: 6260

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

Teilbestand: 128226

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

Teilbestand: 1826

5LP01SP

Teilbestand: 1894

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

Teilbestand: 6268

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

Teilbestand: 1839

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

Teilbestand: 1842

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

Teilbestand: 6223

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

Teilbestand: 1441

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

Teilbestand: 1507

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

Teilbestand: 174960

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

Teilbestand: 128915

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

Teilbestand: 1448

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

Teilbestand: 6222

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

Teilbestand: 1469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

Teilbestand: 109264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

Teilbestand: 185339

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

Teilbestand: 646

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

Teilbestand: 9476

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

Teilbestand: 133677

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 370mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,

6HP04CH-TL-W

Teilbestand: 133287

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 370mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,

62-0136PBF

Teilbestand: 2160

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 19A, 10V,

62-0095PBF

Teilbestand: 2163

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V,

64-9149PBF

Teilbestand: 2109

64-9150PBF

Teilbestand: 2108

64-4123PBF

Teilbestand: 1999

62-0203PBF

Teilbestand: 995

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 4.5V,

64-2096PBF

Teilbestand: 616

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 110A, 10V,

64-2105PBF

Teilbestand: 597

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

64-4092PBF

Teilbestand: 9616

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

64-2092PBF

Teilbestand: 9592

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

62-0063PBF

Teilbestand: 9577

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 4.5V,

64-0055PBF

Teilbestand: 9517

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

64-9146

Teilbestand: 9510

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 mOhm @ 15A, 10V,