Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

AUIRFS3107-7P

Teilbestand: 5670

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 160A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFS3006-7P

Teilbestand: 1427

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 168A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFS3107

Teilbestand: 1472

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRFS3006

Teilbestand: 1501

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFS3004-7P

Teilbestand: 1459

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 mOhm @ 195A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR9024N

Teilbestand: 1486

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFS3004

Teilbestand: 1495

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR4620

Teilbestand: 1462

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR4615

Teilbestand: 1430

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR3806

Teilbestand: 1449

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR3607

Teilbestand: 1433

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR2407

Teilbestand: 1488

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR3504

Teilbestand: 1436

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR1018E

Teilbestand: 1437

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR2405

Teilbestand: 1465

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFP2907

Teilbestand: 12172

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 125A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFL014N

Teilbestand: 6205

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.9A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFL024N

Teilbestand: 1499

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 2.8A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7478Q

Teilbestand: 1485

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 4.2A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFB3806

Teilbestand: 91857

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF3808S

Teilbestand: 1445

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 106A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 82A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7207Q

Teilbestand: 1488

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

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Infineon Technologies

AUIRF3504

Teilbestand: 72876

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 87A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.2 mOhm @ 52A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRF3315S

Teilbestand: 6215

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 82 mOhm @ 12A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF2903ZS

Teilbestand: 1407

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRF3007

Teilbestand: 51629

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.6 mOhm @ 48A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRF2903ZL

Teilbestand: 36401

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRF2805S

Teilbestand: 6153

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 135A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 104A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRF2807

Teilbestand: 47359

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 43A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRF1018ES

Teilbestand: 1445

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 79A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRLZ44ZSTRL

Teilbestand: 1416

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRL1404STRL

Teilbestand: 33693

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRFZ24NSTRR

Teilbestand: 1458

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.

Infineon Technologies

AUIRFR3504TRL

Teilbestand: 1467

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2411

Teilbestand: 1470

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW480

Teilbestand: 1448

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), 180A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.