Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

AOI1N60

Teilbestand: 121606

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF11N62

Teilbestand: 120032

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 620V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF20C60

Teilbestand: 1578

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10N90

Teilbestand: 1553

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 980 mOhm @ 5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6554

Teilbestand: 1500

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6538

Teilbestand: 161286

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6532

Teilbestand: 1510

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), 68A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6536

Teilbestand: 103655

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 55A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6530

Teilbestand: 1585

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28.5A (Ta), 72A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6524

Teilbestand: 154728

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), 68A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6248

Teilbestand: 171095

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.5A (Ta), 53A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2705

Teilbestand: 1511

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 108 mOhm @ 3A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON1620

Teilbestand: 1541

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON1610

Teilbestand: 1550

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK10N90

Teilbestand: 1557

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 980 mOhm @ 5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI514

Teilbestand: 1555

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), 46A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD498

Teilbestand: 1522

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD474A

Teilbestand: 1543

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2422

Teilbestand: 1502

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2423

Teilbestand: 1514

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2415

Teilbestand: 1560

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2414

Teilbestand: 1500

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2413

Teilbestand: 1552

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2412

Teilbestand: 1577

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wunschzettel.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2401

Teilbestand: 1566

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFU3607

Teilbestand: 73663

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF4905S

Teilbestand: 1494

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF5210S

Teilbestand: 1559

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 38A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRLL2705

Teilbestand: 1536

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRLL024Z

Teilbestand: 1483

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF6218S

Teilbestand: 1495

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 16A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRLR024Z

Teilbestand: 1524

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF6215S

Teilbestand: 1474

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFBA1405

Teilbestand: 21491

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 101A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7805Q

Teilbestand: 1565

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Infineon Technologies

AUIRF6218STRL

Teilbestand: 42631

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 16A, 10V,

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