Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

ATP114-TL-H

Teilbestand: 118969

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 55A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 28A, 10V,

ATP405-TL-H

Teilbestand: 97142

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

AO4441

Teilbestand: 179448

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 4A, 10V,

AON3414

Teilbestand: 137746

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

AON2406

Teilbestand: 155158

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V,

AO4419

Teilbestand: 170873

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,

AON6250

Teilbestand: 66683

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.5A (Ta), 52A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

AO6405

Teilbestand: 106069

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AOTF5N50FD_001

Teilbestand: 9577

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50M

Teilbestand: 9614

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_002

Teilbestand: 9561

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8T50PL

Teilbestand: 9621

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 810 mOhm @ 4A, 10V,

AON6403L

Teilbestand: 9620

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

AON6260L

Teilbestand: 9616

AO7400L

Teilbestand: 9623

AO4447AL_201

Teilbestand: 9597

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 17A, 10V,

AO4435L_104

Teilbestand: 9591

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

AO3422L_103

Teilbestand: 9558

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 4.5V,

AO4430L_102

Teilbestand: 6010

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

AO4425L

Teilbestand: 9551

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 38V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 20V,

AOI4TL60

Teilbestand: 9600

AON6370_001

Teilbestand: 9574

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AO6409A_102

Teilbestand: 9532

AOD4185_003

Teilbestand: 9600

AO3418_101

Teilbestand: 9536

AOTF12N60FD_001

Teilbestand: 9605

AO3400_101

Teilbestand: 9593

AO4440L

Teilbestand: 9560

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V,

AOT462_001

Teilbestand: 9595

AON7450L

Teilbestand: 5979

AUXCLFZ24NSTRL

Teilbestand: 9658

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

APT35SM70B

Teilbestand: 9534

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 10A, 20V,

APT4012BVRG

Teilbestand: 6001

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 37A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,

APT12080JVR

Teilbestand: 9535

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 7.5A, 10V,

APT8018JN

Teilbestand: 9512

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 20A, 10V,

APT1001R1BN

Teilbestand: 5957

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V,