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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

AO6400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6400

Teilbestand: 185531

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6.9A, 10V,

Wunschzettel.
AON7508
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7508

Teilbestand: 95192

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AO3402
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3402

Teilbestand: 111025

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

Wunschzettel.
AOD514
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD514

Teilbestand: 155660

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), 46A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AOK20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20S60L

Teilbestand: 19521

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AOTF27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF27S60L

Teilbestand: 19882

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 13.5A, 10V,

Wunschzettel.
AON7242
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7242

Teilbestand: 163482

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AOD424
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD424

Teilbestand: 179847

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wunschzettel.
AOTF20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF20S60L

Teilbestand: 22154

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AO4476A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476A

Teilbestand: 121242

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel.
AON7421
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7421

Teilbestand: 176210

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AO3421E
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3421E

Teilbestand: 140335

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF3004WL
Infineon Technologies

AUIRF3004WL

Teilbestand: 28328

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 mOhm @ 195A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF2804WL
Infineon Technologies

AUIRF2804WL

Teilbestand: 32280

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 mOhm @ 187A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF3805L-7P
Infineon Technologies

AUIRF3805L-7P

Teilbestand: 19778

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS4115-7P
Infineon Technologies

AUIRFS4115-7P

Teilbestand: 16410

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 105A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS3107TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3107TRL

Teilbestand: 27131

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFP1405
Infineon Technologies

AUIRFP1405

Teilbestand: 22795

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 95A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF7759L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7759L2TR

Teilbestand: 23550

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 375A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 96A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFSA8409-7TRL

Teilbestand: 26440

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 523A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.69 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS3004-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3004-7TRL

Teilbestand: 23709

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 mOhm @ 195A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS3004TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3004TRL

Teilbestand: 24214

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS4115-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4115-7TRL

Teilbestand: 24554

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 105A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS4127TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4127TRL

Teilbestand: 24526

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF7739L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7739L2TR

Teilbestand: 24659

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 mOhm @ 160A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRLS8409-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS8409-7TRL

Teilbestand: 25209

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS8409-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8409-7TRL

Teilbestand: 25300

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF1404Z
Infineon Technologies

AUIRF1404Z

Teilbestand: 22982

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRLS3034-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3034-7TRL

Teilbestand: 25367

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 mOhm @ 200A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS4115TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4115TRL

Teilbestand: 25434

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 99A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRLS3036-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3036-7TRL

Teilbestand: 25560

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRLS4030-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS4030-7TRL

Teilbestand: 25843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS8409TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8409TRL

Teilbestand: 26316

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRLS3036TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3036TRL

Teilbestand: 26630

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRLS4030TRL
Infineon Technologies

AUIRLS4030TRL

Teilbestand: 26947

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF7799L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7799L2TR

Teilbestand: 26979

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 375A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,

Wunschzettel.