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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

BSS138W-TP
Micro Commercial Co

BSS138W-TP

Teilbestand: 114968

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS806NEH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

Teilbestand: 133510

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Wunschzettel.
BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

Teilbestand: 173921

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wunschzettel.
BSR302NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR302NL6327HTSA1

Teilbestand: 147786

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

Wunschzettel.
BSP149H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1

Teilbestand: 151561

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS126H6327XTSA2
Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

Teilbestand: 139015

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wunschzettel.
BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSR315PH6327XTSA1

Teilbestand: 154692

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 620mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

Wunschzettel.
BSP300H6327XUSA1
Infineon Technologies

BSP300H6327XUSA1

Teilbestand: 149949

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Wunschzettel.
BUZ73LHXKSA1
Infineon Technologies

BUZ73LHXKSA1

Teilbestand: 1204

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Wunschzettel.
BUZ73ALHXKSA1
Infineon Technologies

BUZ73ALHXKSA1

Teilbestand: 1178

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Wunschzettel.
BUZ73A H3046
Infineon Technologies

BUZ73A H3046

Teilbestand: 1626

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wunschzettel.
BUZ73A H
Infineon Technologies

BUZ73A H

Teilbestand: 1233

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wunschzettel.
BUZ73HXKSA1
Infineon Technologies

BUZ73HXKSA1

Teilbestand: 1190

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wunschzettel.
BUZ73H3046XKSA1
Infineon Technologies

BUZ73H3046XKSA1

Teilbestand: 1217

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wunschzettel.
BUZ31L H
Infineon Technologies

BUZ31L H

Teilbestand: 1152

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Wunschzettel.
BUZ31HXKSA1
Infineon Technologies

BUZ31HXKSA1

Teilbestand: 1196

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Wunschzettel.
BSS84PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA1

Teilbestand: 1174

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BUK7D25-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7D25-40EX

Teilbestand: 9923

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7905-40AIE,127
Nexperia USA Inc.

BUK7905-40AIE,127

Teilbestand: 28752

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel.
BUK6228-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6228-55C,118

Teilbestand: 183525

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9610-100B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9610-100B,118

Teilbestand: 61512

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK6607-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6607-55C,118

Teilbestand: 123826

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK962R8-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK962R8-60E,118

Teilbestand: 53057

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel.
BUK7635-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7635-55A,118

Teilbestand: 157535

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
BMS4003
ON Semiconductor

BMS4003

Teilbestand: 1258

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

Wunschzettel.
BXL4001
ON Semiconductor

BXL4001

Teilbestand: 1160

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 85A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

Wunschzettel.
BMS3003
ON Semiconductor

BMS3003

Teilbestand: 1228

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Wunschzettel.
BFL4007
ON Semiconductor

BFL4007

Teilbestand: 1221

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel.
BFL4036
ON Semiconductor

BFL4036

Teilbestand: 1229

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel.
BFL4004
ON Semiconductor

BFL4004

Teilbestand: 1163

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

Wunschzettel.
BFL4037
ON Semiconductor

BFL4037

Teilbestand: 1124

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Wunschzettel.
BMS4007
ON Semiconductor

BMS4007

Teilbestand: 1121

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel.
BFL4026
ON Semiconductor

BFL4026

Teilbestand: 6121

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wunschzettel.
BFL4001
ON Semiconductor

BFL4001

Teilbestand: 1193

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Wunschzettel.
BBS3002-DL-E
ON Semiconductor

BBS3002-DL-E

Teilbestand: 6191

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel.
BUK9875-100A,115
NXP USA Inc.

BUK9875-100A,115

Teilbestand: 1199

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

Wunschzettel.