Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

BUK9620-100A,118

Teilbestand: 2439

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 63A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9635-100A,118

Teilbestand: 2494

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 41A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9611-55A,118

Teilbestand: 2444

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9616-55A,118

Teilbestand: 2492

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 66A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9528-100A,127

Teilbestand: 2503

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9608-55,118

Teilbestand: 2437

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 5V,

BUK9518-55,127

Teilbestand: 2464

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 57A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 5V,

BUK9520-55,127

Teilbestand: 2467

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 52A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 5V,

BUK9508-55A,127

Teilbestand: 2469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9506-55A,127

Teilbestand: 2501

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9237-55,118

Teilbestand: 2467

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

BUK78150-55A,135

Teilbestand: 2472

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

BUK7616-55A,118

Teilbestand: 2436

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 65.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7624-55,118

Teilbestand: 2459

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7614-55,118

Teilbestand: 2467

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 68A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7605-30A,118

Teilbestand: 2450

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7540-100A,127

Teilbestand: 2493

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 37A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V,

BUK7528-55,127

Teilbestand: 2449

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

BUK7514-55A,127

Teilbestand: 2519

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 73A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7511-55A,127

Teilbestand: 2514

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

BUK7505-30A,127

Teilbestand: 2450

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

BSP304A,126

Teilbestand: 2480

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V,

BST72A,112

Teilbestand: 2477

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

BSN304,126

Teilbestand: 2446

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 250mA, 10V,

BSP254A,126

Teilbestand: 2510

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

BSN254,126

Teilbestand: 2444

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 310mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

BSN254A,126

Teilbestand: 6317

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 310mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

BS108,126

Teilbestand: 2512

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V,

BS108/01,126

Teilbestand: 2506

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V,

BUK9MRR-55PGG/A,51

Teilbestand: 2401

BUK9MMM-55PNN/A,51

Teilbestand: 2447

BUK9C10-65BIT,118

Teilbestand: 2373

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9MJJ-55PSS/A,51

Teilbestand: 2432

BUK3F00-50WGFA,518

Teilbestand: 2426

BUK3F00-50WFEA,518

Teilbestand: 2441

BUK7M15-60EX

Teilbestand: 115486

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,