Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MRFE6S9130HSR3

Teilbestand: 6299

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 880MHz, Dazugewinnen: 19.2dB, Spannung - Test: 28V,

MRF5S19150HR3

Teilbestand: 6259

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 28V,

MRF7S19210HSR3

Teilbestand: 4657

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 20dB, Spannung - Test: 28V,

MRF7S19120NR1

Teilbestand: 1513

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 18dB, Spannung - Test: 28V,

MRF5P21240HR5

Teilbestand: 6273

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 28V,

MRF7S38075HSR5

Teilbestand: 6293

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 30V,

MRFG35003NR5

Teilbestand: 6100

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 3.55GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Spannung - Test: 12V,

MRF6S19120HR3

Teilbestand: 4707

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 15dB, Spannung - Test: 28V,

MRF6S27085HR3

Teilbestand: 6351

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.66GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Spannung - Test: 28V,

MRF7S21170HR3

Teilbestand: 6190

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.17GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 28V,

MRF9030NR1

Teilbestand: 6343

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 945MHz, Dazugewinnen: 20dB, Spannung - Test: 26V,

MRF1570FNT1

Teilbestand: 2626

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 470MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Spannung - Test: 12.5V,

MRF6VP21KHR6

Teilbestand: 6339

Transistortyp: LDMOS (Dual), Frequenz: 225MHz, Dazugewinnen: 24dB, Spannung - Test: 50V,

MRFE6S9201HR5

Teilbestand: 6363

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 880MHz, Dazugewinnen: 20.8dB, Spannung - Test: 28V,

MRF6V2150NBR5

Teilbestand: 1441

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 220MHz, Dazugewinnen: 25dB, Spannung - Test: 50V,

MRF6V10250HSR5

Teilbestand: 6038

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.09GHz, Dazugewinnen: 21dB, Spannung - Test: 50V,

MD7P19130HSR3

Teilbestand: 6316

Transistortyp: LDMOS (Dual), Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 20dB, Spannung - Test: 28V,

MRFG35010R5

Teilbestand: 6268

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 3.55GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 12V,

MRF6S18140HR5

Teilbestand: 6284

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.88GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 28V,

MRF9045LSR1

Teilbestand: 6300

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 945MHz, Dazugewinnen: 18.8dB, Spannung - Test: 28V,

MRF5S19130HSR3

Teilbestand: 6299

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 28V,

J310G

Teilbestand: 6051

Transistortyp: N-Channel JFET, Frequenz: 100MHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 10V, Aktuelle Bewertung: 60mA,

MMBF4416LT1G

Teilbestand: 6078

Transistortyp: N-Channel JFET, Aktuelle Bewertung: 15mA,

MMBFJ310LT1

Teilbestand: 5524

Transistortyp: N-Channel JFET, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 10V, Aktuelle Bewertung: 60mA,

PTFA092211FLV4XWSA1

Teilbestand: 6298

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 920MHz ~ 960MHz, Dazugewinnen: 18dB, Spannung - Test: 30V,

PTFA211801EV5T350XWSA1

Teilbestand: 6301

PTFA212401E V4 R250

Teilbestand: 4640

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.14GHz, Dazugewinnen: 15.8dB, Spannung - Test: 30V, Aktuelle Bewertung: 10µA,

SD57060-01

Teilbestand: 1004

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 945MHz, Dazugewinnen: 15dB, Spannung - Test: 28V, Aktuelle Bewertung: 7A,

PD20015S-E

Teilbestand: 6208

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Spannung - Test: 13.6V, Aktuelle Bewertung: 7A,

PXAC261212FC-V1

Teilbestand: 6212

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.69GHz, Dazugewinnen: 15dB, Spannung - Test: 28V,

VMMK-1225-TR2G

Teilbestand: 6265

Transistortyp: E-pHEMT, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 11dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 50mA, Rauschzahl: 1dB,

MAGX-000035-09000P

Teilbestand: 6208

Transistortyp: HEMT, Frequenz: 3.5GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 50V, Aktuelle Bewertung: 6mA,

MAGX-000035-01000P

Teilbestand: 4686

Transistortyp: HEMT, Frequenz: 3.5GHz, Dazugewinnen: 17dB, Spannung - Test: 50V, Aktuelle Bewertung: 500mA,

CE3512K2-C1

Teilbestand: 178804

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 13.7dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 15mA, Rauschzahl: 0.5dB,

NE3508M04-T2-A

Teilbestand: 6074

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 120mA, Rauschzahl: 0.45dB,

NE3509M04-T2-A

Teilbestand: 6232

Transistortyp: HFET, Frequenz: 2GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 60mA, Rauschzahl: 0.4dB,