Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MRF6V2300NR5

Teilbestand: 957

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 220MHz, Dazugewinnen: 25.5dB, Spannung - Test: 50V,

MRF7S21110HR3

Teilbestand: 6374

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.17GHz, Dazugewinnen: 17.3dB, Spannung - Test: 28V,

MRFG35010AR1

Teilbestand: 6335

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 3.55GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 12V,

MRFE6S9201HSR3

Teilbestand: 6342

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 880MHz, Dazugewinnen: 20.8dB, Spannung - Test: 28V,

MRF5S19090HSR5

Teilbestand: 6240

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Dazugewinnen: 14.5dB, Spannung - Test: 28V,

MRF6S19060NBR1

Teilbestand: 4618

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.93GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 28V,

MRF6V14300HR3

Teilbestand: 6313

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.4GHz, Dazugewinnen: 18dB, Spannung - Test: 50V,

MRF19030LR3

Teilbestand: 6305

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.96GHz, Dazugewinnen: 13dB, Spannung - Test: 26V,

MRF6S21050LR5

Teilbestand: 6262

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.16GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 28V,

MRF7S35015HSR3

Teilbestand: 6357

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 32V,

MRFG35002N6T1

Teilbestand: 6336

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 3.55GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 6V,

MRF9002NR2

Teilbestand: 6322

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 960MHz, Dazugewinnen: 18dB, Spannung - Test: 26V,

MRF6S9160HR5

Teilbestand: 6329

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 880MHz, Dazugewinnen: 20.9dB, Spannung - Test: 28V,

MRF6V2010GNR5

Teilbestand: 4666

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 220MHz, Dazugewinnen: 23.9dB, Spannung - Test: 50V,

MRF6V13250HR3

Teilbestand: 6105

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.3GHz, Dazugewinnen: 22.7dB, Spannung - Test: 50V,

MRF6V14300HSR3

Teilbestand: 6351

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.4GHz, Dazugewinnen: 18dB, Spannung - Test: 50V,

MRFG35010R1

Teilbestand: 6051

Transistortyp: pHEMT FET, Frequenz: 3.55GHz, Dazugewinnen: 10dB, Spannung - Test: 12V,

MRF9045GNR1

Teilbestand: 6300

Transistortyp: LDMOS,

MRF6VP11KHR6

Teilbestand: 6309

Transistortyp: LDMOS (Dual), Frequenz: 130MHz, Dazugewinnen: 26dB, Spannung - Test: 50V,

MRF6S21060MR1

Teilbestand: 6266

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.12GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Spannung - Test: 28V,

PD57045S-E

Teilbestand: 2109

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 945MHz, Dazugewinnen: 14.5dB, Spannung - Test: 28V, Aktuelle Bewertung: 5A,

PD84010S-E

Teilbestand: 6051

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 870MHz, Dazugewinnen: 16.3dB, Spannung - Test: 7.5V, Aktuelle Bewertung: 8A,

STAC2932B

Teilbestand: 6183

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 175MHz, Spannung - Test: 50V, Aktuelle Bewertung: 40A,

J212

Teilbestand: 6084

Transistortyp: N-Channel JFET, Aktuelle Bewertung: 40mA,

J310ZL1G

Teilbestand: 6190

Transistortyp: N-Channel JFET, Frequenz: 100MHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 10V, Aktuelle Bewertung: 60mA,

SMMBFJ310LT3G

Teilbestand: 132677

Transistortyp: N-Channel JFET, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 10V, Aktuelle Bewertung: 60mA,

PTFA080551F V1

Teilbestand: 6082

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 960MHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Spannung - Test: 28V, Aktuelle Bewertung: 10µA,

PTFA192001EV4R250XTMA1

Teilbestand: 573

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 15.9dB, Spannung - Test: 30V, Aktuelle Bewertung: 10µA,

PTFA070601FV4R250XTMA1

Teilbestand: 6207

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 760MHz, Dazugewinnen: 19.5dB, Spannung - Test: 28V,

PTFB191501EV1R250XTMA1

Teilbestand: 6231

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 1.99GHz, Dazugewinnen: 18dB, Spannung - Test: 30V,

PTVA127002EVV1XWSA1

Teilbestand: 6262

PTFA240451E V1

Teilbestand: 4692

Transistortyp: LDMOS, Frequenz: 2.48GHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 28V, Aktuelle Bewertung: 10µA,

VRF152MP

Teilbestand: 650

Transistortyp: N-Channel, Frequenz: 175MHz, Dazugewinnen: 14dB, Spannung - Test: 50V, Aktuelle Bewertung: 50µA,

NE3503M04-A

Teilbestand: 6122

Transistortyp: HFET, Frequenz: 12GHz, Dazugewinnen: 12dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 70mA, Rauschzahl: 0.45dB,

NE3510M04-A

Teilbestand: 6118

Transistortyp: HFET, Frequenz: 4GHz, Dazugewinnen: 16dB, Spannung - Test: 2V, Aktuelle Bewertung: 97mA, Rauschzahl: 0.45dB,

MAGX-000912-500L0S

Teilbestand: 6238

Transistortyp: HEMT, Frequenz: 960MHz ~ 1.22GHz, Dazugewinnen: 19.8dB, Spannung - Test: 50V, Aktuelle Bewertung: 27.3A,