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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Gleichrichter - Arrays

80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

Teilbestand: 3642

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

Teilbestand: 3654

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

Teilbestand: 3668

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

Teilbestand: 3686

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

Teilbestand: 3599

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

Teilbestand: 3616

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

Teilbestand: 3587

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

Teilbestand: 3557

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

Teilbestand: 3588

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

Teilbestand: 3592

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

Teilbestand: 10437

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

Teilbestand: 532

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 480A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X30D100J
Microsemi Corporation

APT2X30D100J

Teilbestand: 3175

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 28A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X31D20J
Microsemi Corporation

APT2X31D20J

Teilbestand: 3498

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

Teilbestand: 3829

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

Teilbestand: 3118

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X101D30J
Microsemi Corporation

APT2X101D30J

Teilbestand: 2748

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

Teilbestand: 1164

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X60D60J
Microsemi Corporation

APT2X60D60J

Teilbestand: 3356

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

Teilbestand: 3407

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X31D120J
Microsemi Corporation

APT2X31D120J

Teilbestand: 2782

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

Teilbestand: 739

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

Teilbestand: 842

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X101D100J
Microsemi Corporation

APT2X101D100J

Teilbestand: 2286

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

Teilbestand: 179

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X31D100J
Microsemi Corporation

APT2X31D100J

Teilbestand: 3191

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 28A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X61D120J
Microsemi Corporation

APT2X61D120J

Teilbestand: 2464

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 53A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X60D120J
Microsemi Corporation

APT2X60D120J

Teilbestand: 2442

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 53A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X61D20J
Microsemi Corporation

APT2X61D20J

Teilbestand: 3266

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

Teilbestand: 3220

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X101D120J
Microsemi Corporation

APT2X101D120J

Teilbestand: 1994

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 93A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

Teilbestand: 2375

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT2X100D100J
Microsemi Corporation

APT2X100D100J

Teilbestand: 2278

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

Teilbestand: 14745

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
ACDST-70-G
Comchip Technology

ACDST-70-G

Teilbestand: 114940

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
ACDST-99-G
Comchip Technology

ACDST-99-G

Teilbestand: 123192

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.