Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

APT2X101S20J

Teilbestand: 2725

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

Teilbestand: 20940

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

Teilbestand: 1426

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

Teilbestand: 11515

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

Teilbestand: 1510

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

Teilbestand: 4471

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

Teilbestand: 4419

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 18A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

Teilbestand: 7652

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 17A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

Teilbestand: 647

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

Teilbestand: 910

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

Teilbestand: 4083

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

Teilbestand: 4104

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

Teilbestand: 4162

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

Teilbestand: 1523

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

Teilbestand: 4122

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 90A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

Teilbestand: 3952

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 36A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

Teilbestand: 2369

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

Teilbestand: 952

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

Teilbestand: 777

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

Teilbestand: 3868

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

Teilbestand: 3871

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

Teilbestand: 3895

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

Teilbestand: 3885

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

Teilbestand: 4438

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

Teilbestand: 3858

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

Teilbestand: 6132

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 4V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

Teilbestand: 3860

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

Teilbestand: 4074

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

Teilbestand: 3544

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

Teilbestand: 3886

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

Teilbestand: 4128

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

Teilbestand: 4064

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

Teilbestand: 3857

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

Teilbestand: 2926

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

Teilbestand: 143494

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

Teilbestand: 4514

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.